半导体基片结构的校准方法

摘要

在集成电路的三维集成过程中，将变薄的半导体基片(1)安置在第二半导体基片中，并保持机械和电气连接。在此之后，在第二薄半导体基片(1)中形成持续接触孔(24)，该孔从基片背面(3)一直到基片正面(12)第一金属连线平面。为了将接触孔(24)与在正面(2)中安置的结构校准，在基片(1)的正面(2)设计了结构(4)，它可以作为正面(2)上的校准标记(7)。从结构(4)向外生长出一个有效层(15)，结构在基片(1)的背面(3)裸露，从而结构(4)能够从背面(3)用作校准标记(7)。这避免了在正面(2)与背面(3)上结构之间的校准误差。

主权项

1.一种用于校准基片正面和背面的结构的方法，包括如下步骤：首先在基片(1)的正面(2)形成一种结构(4)并在该正面形成一个有效层(15)，以及a)在该结构上通过蚀刻形成一个作为引入正面(2)的结构(4)的沟槽，和外延生长出一掺杂层(5)，作为与该结构(4)相一致的在正面(2)上的蚀刻中断层以及在该掺杂层(5)，以及在该掺杂层(5)上外延生长出该有效层(15)；或者b)在该结构上通过蚀刻形成一作为引入正面(2)的结构(4)的沟槽，以及通过注入形成一作为掩埋层的掺杂层(5)，该掺杂层(5)也作为蚀刻中断层形成，因此该有效层(15)随着掺杂质从掺杂层(5)中的逸出而被设置在该掺杂层(5)上；或者c)通过蚀刻形成一引入正面(2)的沟槽，用掩模材料(11)填充作为结构(4)的该沟槽，使掩模材料(11)平坦化至基片表面(17)的高度，以及外延生长出一作为在正面(2)上的蚀刻中断层的掺杂层(5)和在该掺杂层(5)上外延生长出该有效层(15)；或者d)形成作为该结构(4)的由掩模材料(11)制成的凸起，以及超出该结构(4)以外生长出一有效层(15)；其次，去除基片(1)，以便从基片(1)的背面(3)裸露出结构(4)，基片(1)的背面(3)与基片(1)的正面(2)相对。