一种具有尖锐激子峰的半绝缘多量子阱的生长方法

摘要

本发明涉及一种具有尖锐激子峰的半绝缘多量子阱的生长方法，该方法将衬底温度升至580℃，在半绝缘GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；然后降低衬底温度至200～500℃，在砷压为5×10^－8～5×10^－6Torr的范围内，GaAs缓冲层上生长2～500个周期的GaAs/Al_xGa_1－xAs多量子阱；最后在多量子阱上生长2～20nm厚的GaAs覆盖层，以防止Al的氧化。该方法得到的具有尖锐激子峰的半绝缘低温多量子阱能在保证高的电阻率和超快响应速度的前提下有效提高GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性。

主权项

1、一种具有尖锐激子峰的半绝缘多量子阱的生长方法，包括如下步骤：1)将衬底温度升至580℃，在半绝缘GaAs衬底上生长100～1000nm厚的GaAs缓冲层；2)降低衬底温度至200～500℃，在砷压为5×10-8～5×10-6Torr的范围内，在步骤1)得到的GaAs缓冲层上生长GaAs/AlxGa1-xAs多量子阱，其中0.05≤x≤0.50，GaAs的厚度为1～20nm，AlxGa1-xAs的厚度为1～50nm，多量子阱的周期数为2～500；3)最后在步骤2)得到的多量子阱上生长2～20nm厚的GaAs覆盖层，得到具有尖锐激子峰的半绝缘多量子阱。