| 发明名称 | 一种形成间隔器的方法 | ||
| 摘要 | 在非挥发内存装置(1)的双重间隔器(two-step spacer)的制造程序中，先在晶圆基体(3)上沉积一层薄的氧化层(12)，而在非挥发性内存装置(1)的核心部位(24)中留下一间隙，使得经由此间隙完成注入及/或达成氧化物-氮化物-氧化物去除作业。在注入后，沉积第二间隔器(13)。在沉积第二间隔器后，执行周边间隔器蚀刻。应用上述说明的方法，形成一间隔器。 | ||
| 申请公布号 | CN1196189C | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN01806324.1 | 申请日期 | 2001.03.12 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | 杰弗瑞·A·雪德斯;杜汪·D·帕;马克·T·拉姆斯拜;孙禹;A·T·会;M·C·甄 |
| 分类号 | H01L21/8247;H01L21/8246 | 主分类号 | H01L21/8247 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种形成双重间隔器的方法，包含：在核心区域(24)及周边区域(28)形成第一氧化物层(12)，所述核心区域(24)及周边区域(28)包含多晶硅线(4)；蚀刻所述第一氧化物层，以在所述核心区域及周边区域形成第一间隔器(12’)，因此在多晶硅线之间以及多个第一间隔器之间暴露一区域(20)；掩盖所述周边区域；通过所述第一间隔器之间的区域对所述核心区域进行离子注入，这样所述周边区域未被注入；在核心区域及周边区域形成第二氧化物层(13)；以及蚀刻所述第二氧化物层，这样第二氧化物间隔器(13’)在所述周边区域中的多晶硅线之间的区域内，与所述第一氧化物间隔器相邻地形成。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||