| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及不仅能达成良好的电阻接触，还能达成表面等离子体激元效应的半导体发光元件。该半导体发光元件具有形成于发光层上的半导体层、形成于半导体层上的第1电极层、形成于第1电极层上的具有周期性结构的第2电极层。第1电极层与半导体层的电阻接触优于第2电极层好，第2电极层含有等离子体频率高于第1电极层的金属。 | ||
| 申请公布号 | CN1604409A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN200410080671.X | 申请日期 | 2004.09.29 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 畑雅幸 |
| 分类号 | H01S5/00;H01L33/00 | 主分类号 | H01S5/00 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.半导体发光元件，其特征在于，具有形成于发光层上的半导体层；形成于所述半导体层上的第1电极层；和形成于所述第1电极层上的具有周期性结构的第2电极层，所述第1电极层与所述半导体层的电阻接触优于所述第2电极层，所述第2电极层含有等离子体频率高于所述第1电极层的金属。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||