| 发明名称 | 半导体集成电路装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体集成电路装置。在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在构成小信号部(2)的岛区域(8、9)中，在衬底(4)和外延层(5)之间形成N型的埋入扩散区域(29)。由此，在构成小信号部(2)的岛区域(8、9)中，实际上，在施加电源电位的N型的埋入扩散区域(29)中区分衬底(4)和第一外延层(5)。其结果，可以防止由于电机的反电动势而从功率NPN晶体管(3)产生的自由载流子(电子)流入小信号部(2)，并防止小信号部(2)的误动作。 | ||
| 申请公布号 | CN1604329A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN200410082581.4 | 申请日期 | 2004.09.21 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 神田良;大川重明;吉武和广 |
| 分类号 | H01L27/06 | 主分类号 | H01L27/06 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马莹;邵亚丽 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路装置，包含：多层的逆导电型外延层，层叠在一导电型的半导体衬底上；以及分离区域，将所述外延层区分为多个岛区域，在所述多个岛区域中至少包括驱动电机的驱动元件，以及控制该驱动元件的控制元件，其特征在于：在形成所述控制元件的岛区域中，在所述衬底和在该衬底上表面层叠的第一层的外延层之间，形成逆导电型的埋入扩散区域，而且，在所述第一层的外延层上表面的外延层之间，形成接地状态的一导电型的埋入扩散区域。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||