发明名称 |
立方MgZnO晶体薄膜光波导器件及制备工艺 |
摘要 |
一种MgZnO晶体薄膜光波导器件,由衬底、下包层、芯层和上包层构成,衬底采用玻璃或SiO<SUB>2</SUB>/Si,芯层为立方Mg<SUB>x</SUB>Zn<SUB>1-x</SUB>O(x>0.5)晶体薄膜,折射率可随薄膜中Mg组分的改变实现连续可调,上、下包层可以是Mg组分比芯层高的Mg<SUB>y</SUB>Zn<SUB>1-y</SUB>O(y>0.5)薄膜,也可以是SiO<SUB>2</SUB>薄膜,上包层也可以是空气。光波导器件是在衬底上低温物理外延生长立方Mg<SUB>x</SUB>Zn<SUB>1-x</SUB>O芯层和包层,并通过湿法或干法刻蚀后得到的。本发明具有制备工艺简单,成本低,波导层光学模的损耗和双折射效应小,波导层折射率连续可调等优点。 |
申请公布号 |
CN1603870A |
申请公布日期 |
2005.04.06 |
申请号 |
CN200410067858.6 |
申请日期 |
2004.11.02 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
吴惠桢;陈乃波;徐天宁;余萍;邱东江 |
分类号 |
G02B6/13;G02B6/136;G03F7/20;G02F1/035;G02F1/03 |
主分类号 |
G02B6/13 |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 |
代理人 |
张法高;盛辉地 |
主权项 |
1、一种立方MgZnO晶体薄膜光波导器件,其特征是:所述光波导器件由衬底、下包层、芯层和上包层构成,衬底采用玻璃或SiO2/Si,光波导的芯层为低温物理外延生长的立方MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,折射率可随薄膜中Mg组分的改变实现连续可调,上、下包层可以是Mg组分比芯层高的MgyZn1-yO(y>0.5)薄膜,也可以是SiO2薄膜,上包层还可以是空气。 |
地址 |
310027浙江省杭州市杭州玉古路20号 |