发明名称 | 层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法 | ||
摘要 | 一种层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法。其在电极膜表面形成粘合膜,再在其上形成覆盖膜。粘合膜的构成材料使用镍、铬、钼、钨、铝及这些金属的合金等。覆盖膜的材料使用金、银、白金及这些金属的合金等。 | ||
申请公布号 | CN1604320A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
申请号 | CN200410083359.6 | 申请日期 | 2004.09.30 |
申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 臼井良辅;水原秀树;中村岳史 |
分类号 | H01L25/00;H01L23/48;H01L21/50 | 主分类号 | H01L25/00 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
主权项 | 1、一种半导体装置,其特征在于,包括:基件;导电路,其设在所述基件中;绝缘膜,其覆盖所述基件的至少一部分;垫片电极,其设在所述基件表面或所述绝缘膜表面,连接所述导电路;半导体芯片,其形成在所述绝缘膜上;导电部件,其电连接所述垫片电极及所述半导体芯片,其中,所述垫片电极具有电极膜及在其表面形成的导电性保护膜,所述导电部件的一端连接所述导电性保护膜。 | ||
地址 | 日本大阪府 |