| 发明名称 | GaN单晶衬底 | ||
| 摘要 | 提供一种面积大、弯曲小的独立的GaN单晶衬底，该衬底有20mm以上的直径和0.07mm以上的厚度，固有内部应力为7MPa以下，弯曲的曲率半径为600mm以上，直径为2英寸的衬底的中心处挠曲量为0.55mm以下，且衬底表面的法线方向和与衬底表面的平行度最高的低指数晶面的法线方向的夹角在衬底内为3°以下。 | ||
| 申请公布号 | CN1196176C | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN99108644.9 | 申请日期 | 1999.06.18 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 元木健作;冈久拓司;松本直树;西本达也 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L33/00 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种GaN单晶衬底，其特征在于：该衬底有20mm以上的直径和0.07mm以上的厚度，固有内部应力为7MPa以下，弯曲的曲率半径为600mm以上，直径为2英寸的衬底的中心处挠曲量为0.55mm以下，且衬底表面的法线方向和与衬底表面的平行度最高的低指数晶面的法线方向的夹角在衬底内为3°以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||