一种用氮气消除横向凹槽的方法

摘要

本发明属于半导体制造工艺技术领域，具体为一种栅电极刻蚀时横向凹槽的消除方法。栅刻蚀工艺是形成栅电极的工序。它要求刻蚀后栅的侧壁垂直，没有横向凹槽。然而消除横向凹槽和保持刻蚀对栅氧化层的高选择性历来是一对矛盾，这也是栅刻蚀工艺的难点所在。本发明通过在过刻蚀步骤中加入N₂使栅侧壁钝化，从而消除横向凹槽。具体是将过刻蚀步骤分为两步，即在第一步中加入容易使栅侧壁发生钝化的氮气(N₂)来保护栅侧壁及衬底氧化层，第二步为常规过刻蚀步骤，来清除硅残留并调节栅的垂直度。本发明方法既能保持栅的侧壁垂直、没有横向凹槽，又能保持高的选择比，解决了0.18μm以上栅刻蚀工艺的一大难点。

主权项

1、一种去除栅刻蚀横向凹槽的方法，其特征在于将栅过刻蚀步骤分为两步，第一步，过刻蚀中含氮气，形成侧壁保护钝化层，第二步为常规过刻蚀，用以清除未刻尽的硅残留并调整栅侧壁的垂直度。