| 发明名称 | 用多官能碳硅烷制造介电层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种对多官能碳硅烷溶胶－凝胶产物进行加热处理来制造低介电常数介电层之方法、所得的相应介电层及其在电子零部件生产中的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN1605118A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN02825316.7 | 申请日期 | 2002.12.06 |
| 申请人 | 拜尔公司 | 发明人 | S·柯希迈尔;D·盖泽尔;H·克劳斯;U·默克 |
| 分类号 | H01L21/312 | 主分类号 | H01L21/312 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;王景朝 |
| 主权项 | 1、制造介电层的方法，其特征是：对多官能碳硅烷的溶胶-凝胶产物进行加热处理。 | ||
| 地址 | 德国莱沃库森 | ||