| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。向电源分离单元(250)追加与栅极被固定的电源间保护晶体管(201、202)并联的电源间连接开关(211、212)。电源间连接开关(211、212)，在通过外部控制端子(230)从外部输入的控制信号(220)的作用下，使多个电源间电性地连接或分离。在WLBI(晶片级预老化)时，多个电源间被所述电源间连接开关(211、212)连接，所以向特定输入端子外加电压时，也就向其它的电源端子盘外加电压。进而，在WLBI后，电源间被分离，在插入电源间的电源间保护晶体管的作用下，释放浪涌等异常电压产生的电荷，防止半导体装置的击穿。 | ||
| 申请公布号 | CN1604297A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN200410078671.6 | 申请日期 | 2004.09.16 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 川西景;岛津宜之;森田纹子 |
| 分类号 | H01L21/66;H01L27/02;H01L21/82;G11C29/00;G01R31/28 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，包括：分别具有所定功能的多个电路；从外部外加电压，向所述电路中对应的电路输出所定的电源电压的多个电源单元；以及当所述多个电源单元中，一个电源单元的输入端子的电压与其它电源单元的输入端子的电压之差是所定范围内的值时，使这些电源单元的输入端子之间成为非导通状态，而当所述差是超过所定范围的值时，使所述多个电源单元的输入端子之间成为导通状态，并相应输入的控制信号，控制是否使所述多个电源单元的输入端子之间成为导通状态的连接单元。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||