控制碳纳米管生长密度的方法

摘要

本发明涉及一种控制碳纳米管生长密度的方法，该方法包括以下步骤：提供一基底；在基底表面形成一保护层；在保护层表面形成一催化剂层；将形成有保护层及催化剂层的基底放入反应炉内，退火处理；通入碳源气体，生长碳纳米管。本发明通过在基底上形成一保护层，防止催化剂在退火还原过程中与基底反应，保证催化剂颗粒分布密度均匀，从而生长出分布密度均匀的碳纳米管。

主权项

1.一种控制碳纳米管生长密度的方法，包括下列步骤：提供一基底；在所述基底的表面形成一保护层；在保护层表面形成一催化剂层；退火还原催化剂层；通入碳源气；在催化剂层表面生成碳纳米管。