| 发明名称 | 静电破坏保护电路 | ||
| 摘要 | 一种静电破坏保护电路，包括：由被偏置为基准电位的第1导电类型的衬底、在上述衬底的表面部分上形成的第2导电类型的阱区、在上述阱区的表面部分上形成的第1导电类型的第1扩散区以及形成在上述阱区中的第2导电类型的第2扩散区构成的多个二极管，上述第1扩散区和上述第2扩散区在上述多个二极管之间相互连接，以及上述多个二极管具有2种以上的尺寸，且被构成为彼此进行级联连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1196194C | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN02100948.1 | 申请日期 | 2002.01.09 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 大冢伸朗;矢部友章 |
| 分类号 | H01L23/60;H01L27/00 | 主分类号 | H01L23/60 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种静电破坏保护电路，包括：由被偏置为基准电位的第1导电类型的衬底、在上述衬底的表面部分上形成的第2导电类型的阱区、在上述阱区的表面部分上形成的第1导电类型的第1扩散区以及形成在上述阱区中的第2导电类型的第2扩散区构成的多个二极管，上述第1扩散区和上述第2扩散区在上述多个二极管之间相互连接，以及上述多个二极管具有2种以上的尺寸，且被构成为彼此进行级联连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||