发明名称 | 一种基于纵向双势垒共振隧穿结构的量子点存储器 | ||
摘要 | 本发明涉及一种基于纵向双势垒共振隧穿结构的量子点存储器,属于半导体器件设计领域,该量子点存储器基本结构由在Si衬底上依次外延生长的多层结构和源、漏电极组成,其特征在于,该多层结构主要由控制栅极、控制氧化层、量子点浮栅层、双势垒共振隧穿层和SiGe沟道构成。本发明最主要的特点是隧穿势垒通过双异质结实现,可以实现结晶完美的双势垒隧穿层,可以在较大的隧穿层厚度的条件下,解决传统非挥发存储器中读写速度、编程电压和数据保存时间之间的矛盾,能够在保证读写速度和数据保存时间的同时降低编程电压,从而降低功耗。 | ||
申请公布号 | CN1604331A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
申请号 | CN200410091126.0 | 申请日期 | 2004.11.19 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 邓宁;陈培毅;潘立阳;张磊;魏榕山 |
分类号 | H01L27/10 | 主分类号 | H01L27/10 |
代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人 | 廖元秋 |
主权项 | 1、一种基于纵向双势垒共振隧穿结构的量子点存储器,该量子点存储器基本结构由在Si衬底上依次外延生长的多层结构和源、漏电极组成,其特征在于,该多层结构主要由控制栅极、控制氧化层、量子点浮栅层、双势垒共振隧穿层和SiGe沟道构成。 | ||
地址 | 100084北京市海淀区清华园 |