| 发明名称 | 带有一个或更多通孔的半导体结构 | ||
| 摘要 | 公开了带有一个或更多通孔的半导体结构。可以使用馈通金属化过程来对通孔进行密封。 | ||
| 申请公布号 | CN1605126A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN02825292.6 | 申请日期 | 2002.10.15 |
| 申请人 | 许密特有限公司 | 发明人 | M·赫舍尔 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L23/48;B81B7/00;B81C1/00 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 原绍辉 |
| 主权项 | 1.一种用于提供带有一个或更多通孔的半导体结构的方法，这种半导体结构具有一前表面和一基本上与其相对的背表面，这种方法包括：在与一个或更多通孔位置相对应的一个或更多背表面区域处从背表面蚀刻半导体结构；以及在与这一个或更多通孔位置相对应的一个或更多前表面区域处从前表面蚀刻半导体结构。 | ||
| 地址 | 丹麦灵比 | ||