半导体器件及其形成方法

摘要

薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成的第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导体器件。

主权项

1.制造半导体器件的一种方法，其特征在于包括下列步骤：在一绝缘表面上形成含非晶硅的半导体膜；往所述半导体膜中掺入硼；在掺入所述硼之后晶化所述半导体膜；在所述半导体膜上形成栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成栅电极；通过掺入离子在所述半导体膜中形成源区和漏区，从而在该源区和漏区之间形成含所述硼的一个沟道区。