| 发明名称 | 使用改进的碳薄膜的场发射器件 | ||
| 摘要 | 一种场发射器件，该器件包括在衬底上的碳膜层，其中该碳膜层在1578～1620cm<SUP>-1</SUP>的范围内有第一紫外喇曼带，且该第一紫外喇曼带的最大高度的1/2处的全宽度(FWHM)为25～165cm<SUP>-1</SUP>。 | ||
| 申请公布号 | CN1196156C | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN98808023.0 | 申请日期 | 1998.07.29 |
| 申请人 | 毫微－专卖股份有限公司 | 发明人 | 志丹·李·特尔 |
| 分类号 | H01J1/02;C23C16/26 | 主分类号 | H01J1/02 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 1.一种场发射器件，其特征在于，该器件包括阴极、该阴极包括阴极衬底、在阴极衬底上的导电层、以及在该阴极导电层上淀积的碳膜层，其中该碳膜层在1578～1620cm-1的范围内有第一紫外喇曼带，且该第一紫外喇曼带的最大高度的1/2处的全宽度即FWHM为25～165cm-1。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||