| 发明名称 | 半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法，其包含于一基片上形成多个半导体散热结构，接着于基片以及这些半导体散热结构上形成一缓冲层以及一非晶硅层，然后再进行一激光结晶处理，以使非晶硅层转化成一多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1604273A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN200410078639.8 | 申请日期 | 2004.09.14 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 张茂益;陈亦伟 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/324;H01L21/20;H01L21/477;B23K26/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 王志森;黄小临 |
| 主权项 | 1.一种制作一低温多晶硅层的方法，该方法包含下列步骤：提供一基片；于该基片上形成多个半导体散热结构；于该基片以及该多个半导体散热结构上形成一缓冲层以及一非晶硅层以及进行一激光结晶处理，以使该非晶硅层转化成一多晶硅层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||