具有制作在不同晶向晶片上的器件层的三维CMOS集成电路

摘要

提供了一种制造3D集成电路的三维(3D)集成方案，其中，pFET位于对其最佳的晶面上，且nFET位于对其最佳的晶面上。根据本发明的第一3D集成方案，第一半导体器件被预先制作在第一绝缘体上硅(SOI)衬底的半导体表面上，且第二半导体器件被预先制作在第二SOI衬底的半导体表面上。在预先制作这二种结构之后，此二种结构被键合到一起，并经由穿过通孔的晶片－通道被互连。在第二3D集成方案中，具有第一结晶学取向的第一SOI层的覆盖绝缘体上硅(SOI)衬底，被键合到结晶学取向不同于第一SOI层的第二SOI层上具有第二半导体器件的预先制造的晶片的表面；以及在第一SOI层上制作第一半导体器件。

主权项

1.一种三维集成方案，它包括下列步骤：提供第一互连结构，它包括位于第一绝缘体上硅衬底的第一含硅层的表面上的至少一个第一半导体器件，所述第一含硅层具有对所述第一半导体器件最佳的第一表面取向；将操作晶片固定到第一互连结构的表面；提供第二互连结构，它包括第二绝缘体上硅衬底的第二含硅层的表面上的不同于第一半导体器件的至少一个第二半导体器件，所述第二含硅层具有对所述第二半导体器件最佳的第二表面取向；彼此键合第一和第二互连结构；以及去除操作晶片。