一种纯静态双加热温梯法晶体生长装置

摘要

本发明属结晶工艺学领域，一种纯静态双加热温度梯度法晶体生长装置，包括钟罩式高真空单晶炉，内有4只电极，2付电极板，双发热体，配备双电源，双控温加热系统。发热体由矩形波状板条式石墨筒的主发热体和倒锥状异形板条的辅发热体构成。主辅发热体的上，下方及四周设有良好保温效果的上热挡板，下热挡板和侧屏蔽装置，主辅发热体包围的空间内，由带有籽晶槽的倒圆锥形坩埚构成晶体生长室。本发明的晶体生长装置，密闭性能好，热场稳定。适合于生长大直径的中，高温晶体，如蓝宝石晶体，钇铝石榴石晶体，铝酸钇晶体，以及氟化钙之类晶体等。

主权项

1.一种纯静态双加热温梯法晶体生长装置，包括在钟罩式高真空单晶炉底盘(33)上，设置4只电极杆，2只辅电极杆(2)，2只主电极杆(3)。其特征在于所说的双加热是由矩形波状板条式石墨筒的主发电体(7)和倒圆锥状异形板条通电回路的辅发热体(6)构成。主辅发热体包围的空间内，由带有籽晶槽的倒圆锥形坩埚(10)构成晶体生长室，主发热体的上，下方及四周设置保温屏蔽装置。