发明名称 | 制备纳米金刚石薄膜的辅助栅极热丝化学气相沉积法 | ||
摘要 | 一种镀覆技术领域的制备纳米金刚石薄膜的辅助栅极热丝化学气相沉积法,在热丝CVD沉积金刚石薄膜的基础上,增加一种辅助栅极,辅助栅极在热丝沉积初期,先行沉积一层金刚石薄膜,然后在栅极和热丝之间加上直流偏压,栅极为负,栅极表面的金刚石薄膜即发射电子而形成直流放电,其中正离子将轰击栅极,被轰击下来的金刚石原子和原子集团将溅落到衬底上,成为金刚石形核和生长驱动点,溅射对衬底上金刚石的高密度形核和二次形核起了关键作用,衬底表面沉积得到纳米金刚石薄膜。本发明能达到极高的形核密度,同时在生长过程中有很高的二次形核速率,能生长得到纳米级的金刚石薄膜,沉积后薄膜无须研磨抛光就能达到较高的光洁度,满足使用要求。 | ||
申请公布号 | CN1603464A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
申请号 | CN200410067571.3 | 申请日期 | 2004.10.28 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 孙方宏;张志明;沈荷生;郭松寿 |
分类号 | C23C16/503;C23C16/27 | 主分类号 | C23C16/503 |
代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
主权项 | 1、一种制备纳米金刚石薄膜的辅助栅极热丝化学气相沉积法,其特征在于,在热丝CVD沉积金刚石薄膜的基础上,增加一种辅助栅极,辅助栅极在热丝沉积初期,先行沉积一层金刚石薄膜,然后在栅极和热丝之间加上直流偏压,栅极为负,栅极表面的金刚石薄膜即发射电子而形成直流放电,其中正离子将轰击栅极,被轰击下来的金刚石原子和原子集团溅落到衬底上,成为金刚石形核和生长驱动点,溅射对衬底上金刚石的高密度形核和二次形核起了关键作用,衬底表面沉积得到纳米金刚石薄膜。 | ||
地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 |