用于编程非易失性存储器的位线设置和放电电路

摘要

具有屏蔽位线结构的NAND EEPROM减小由充电或放电位线产生的电源电压和地噪声。该EEPROM具有连接于虚拟电源节点的PMOS上拉式晶体管和NMOS下拉式晶体管。用于充电和放电位线的控制电路控制该PMOS或NMOS晶体管的栅极电压以当经由该虚拟电源节点充电或放电位线时限制峰值电流。一个这种控制电路产生电流映射或施加参考电压以控制栅极电压。一种编程方法，在位于编程电路中的锁存器根据正被存储的各个数据位充电或放电所选择的位线的同时，通过经由具有受控制的栅极电压的PMOS上拉式晶体管预充电未选择的位线。该编程电路中的NMOS晶体管的栅极电压可以被控制以减小由经过该锁存器放电所选择的位线产生的噪声。

主权项

1.一种非易失性存储器装置，包括：一个存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括连接于在该阵列的各自列中的存储器单元的位线和连接于在该阵列的各自行中的存储器单元的字线；一个连接于该位线的偏置电路，其中该偏置电路包括一个开关和一个控制电路，该控制电路操作该开关以当同时改变一组位线上的电压时限制形成的电流；其中，该开关包括连接于一个第一电压和该位线之间的一个第一晶体管；该控制电路控制该第一晶体管的一个栅极电压以便在该位线的充电期间该栅极电压小于一个电源电压并大于一个地电压。