发明名称 | 半导体集成电路 | ||
摘要 | 一种半导体集成电路,可补偿各芯片的工艺误差,降低栅极泄露电流。其中具有电源阵压电路及MOS回路组。电源阵压回路供给电源电压,根据显示为运行时还是待机时的待机控制信号进行控制,当待机控制信号显示为运行时,向内部电源线输出比电源电压低的第1内部电源电压,当待机控制信号显示为待机时,向内部电源线输出比该第1内部电源电压还低的第2内部电源电压。MOS电路组含有供给第1内部电源电压或第2内部电源电压并运行的一个或多个MOS晶体管。 | ||
申请公布号 | CN1196196C | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
申请号 | CN02121795.5 | 申请日期 | 2002.04.11 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 矢部友章 |
分类号 | H01L27/00 | 主分类号 | H01L27/00 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
主权项 | 1.一种半导体集成电路,其特征在于包括:提供电源电压,向内部电源线输出比所述电源电压低的内部电源电压的电源降压电路;以及包含从所述内部电源线提供所述内部电源电压并运行的一个或多个MOS晶体管的MOS电路组;而且所述电源降压电路推断流向上述MOS电路组的栅极泄露电流值,随着该推断出的栅极泄露电流值的增大,所述内部电源电压变低。 | ||
地址 | 日本东京都 |