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发明名称 Method for fabricating shallow well of semiconductor device by low energy implantation
摘要
申请公布号 KR100480604(B1) 申请公布日期 2005.04.06
申请号 KR20020043698 申请日期 2002.07.24
申请人 发明人
分类号 H01L21/22;H01L21/76;H01L21/265;H01L21/761;H01L21/762;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/8242;H01L27/08;H01L27/092;(IPC1-7):H01L21/22 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人
主权项
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