APPARATUS FOR BUFFERING RAS WITH TRANSMISSION GATE AND LATCH CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF KEEPING INTERNAL RAS CONSTANT REGARDLESS OF DISTORTED EXTERNAL RAS,申请号KR19970045642-传众专利搜索

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发明名称	APPARATUS FOR BUFFERING RAS WITH TRANSMISSION GATE AND LATCH CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF KEEPING INTERNAL RAS CONSTANT REGARDLESS OF DISTORTED EXTERNAL RAS
摘要
申请公布号	KR100483058(B1)	申请公布日期	2005.04.04
申请号	KR19970045642	申请日期	1997.09.03
申请人	HYNIX SEMICONDUCTOR INC.	发明人	KIM, MI YANG
分类号	H01L29/72	主分类号	H01L29/72
代理机构		代理人
主权项
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