鳍状沟渠电容结构

摘要

本发明提供一种鳍状沟渠电容结构，包含有一埋入电极(buried plate)，设于矽基底中并且环绕该鳍状沟渠电容的瓶状部位(bottle–shaped portion)，且该埋入电极经由该瓶状部位的底部电连接一延伸电极，且该埋入电极与该延伸电极共同构成该鳍状沟渠电容之大面积电容电极；由环绕导电层、中心导电层以及颈部导电层所构成之电容储存电极(storage node)包围该延伸电极；一第一电容介电层，其将该电容储存电极与埋该入电极绝缘；以及一第二电容介电层以及一第三电容介电层，将该延伸电极与该电容储存电极绝缘。