发明名称 介电障壁层薄膜
摘要 根据本发明提出一介电障壁层。根据本发明之介电障壁层包含一以脉冲式DC,基底偏压之物理气相沈积,沈积在一基底上之热压缩非结晶质介电层,其中,热压缩非结晶质介电层一障壁层。根据本发明形成一障壁层之方法包含提供一基底并以一脉冲式DC,偏压,宽广标的物物理气相沈积程序,在基底上沈积一高度热压缩,非结晶质,介电材料。而且,这程序可包含在基底上实施一软性金属气息处理。可利用这种障壁层作为电气层,光学层,免除层,或摩擦层。
申请公布号 TW200512872 申请公布日期 2005.04.01
申请号 TW093114493 申请日期 2004.05.21
申请人 西摩费克斯有限公司 发明人 穆康丹 那拉辛汉;彼得 布鲁克斯;理查 戴马瑞
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国