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发明名称
介电障壁层薄膜
摘要
根据本发明提出一介电障壁层。根据本发明之介电障壁层包含一以脉冲式DC,基底偏压之物理气相沈积,沈积在一基底上之热压缩非结晶质介电层,其中,热压缩非结晶质介电层一障壁层。根据本发明形成一障壁层之方法包含提供一基底并以一脉冲式DC,偏压,宽广标的物物理气相沈积程序,在基底上沈积一高度热压缩,非结晶质,介电材料。而且,这程序可包含在基底上实施一软性金属气息处理。可利用这种障壁层作为电气层,光学层,免除层,或摩擦层。
申请公布号
TW200512872
申请公布日期
2005.04.01
申请号
TW093114493
申请日期
2004.05.21
申请人
西摩费克斯有限公司
发明人
穆康丹 那拉辛汉;彼得 布鲁克斯;理查 戴马瑞
分类号
H01L21/768
主分类号
H01L21/768
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
美国
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