半导体装置及其制造方法

摘要

以往之功率MOSFET系藉由宽幅的环状层以及屏蔽金属来防止周边的反转，因此周边领域的面积变大，限制了元件领域的面积扩大。本发明系配置MIS(MOS)构造的反转防止领域。其宽度为例如仅具有多晶矽的宽度即可，且利用沟渠深度方向即可获得氧化膜面积。藉此，即使周边领域的面积不增大亦可减低泄漏电流，同时因元件领域的扩大而得以减低MOSFET的导通电阻。