具有建于不同结晶方向晶圆上之元件层的三维CMOS积体电路THREE DIMENSIONAL CMOS INTEGRATED CIRCUITS HAVING DEVICE LAYERS BUILT ON DIFFERENT CRYSTAL ORIENTED WAFERS

摘要

本发明提供制造三维(3D)积体电路之3D积体化方案，其中pFET系位于对特定元件的一最佳结晶表面上且nFET系位于对特定型式之元件的一最佳表面上。依据本发明的第一3D积体化方案，第一半导体元件系预建于一第一绝缘体上矽片(SOI)基材的半导体表面上，且第二半导体元件系预建于一第二SOI基材的半导体表面上。在预建该等二结构后，该结构系接合在一起且经由晶圆–通道穿过该通道而互连。在第二3D积体化方案中，一具有第一结晶方向之第一绝缘体上矽片层之毯覆性绝缘体上矽片(SOI)基材系接合至一预建晶圆的表面，该晶圆在一与第一绝缘体上矽片层不同结晶方向之第二绝缘体上矽片层上具有第二半导体元件；且形成第一半导体元件于该第一绝缘体上矽片层上。