发明名称 氟添加碳膜之形成方法
摘要 本发明之课题在于改善氟添加碳膜与基础膜之密着性者。为解决该课题,根据本发明使用氟添加碳膜之形成方法,其系于被处理基板上形成氟添加碳膜者;其特征在于:包含藉由基板处理装置电浆激发稀有气体,藉由电浆激发之前述稀有气体进行前述被处理基板之表面处理之第1步骤,以及于前述被处理基板上形成氟添加碳膜之第2步骤;前述基板处理装置系含有与微波电源电气性连接之微波天线。
申请公布号 TW200512829 申请公布日期 2005.04.01
申请号 TW093114513 申请日期 2004.05.21
申请人 大见忠弘;东京威力科创股份有限公司 发明人 大见忠弘;平山昌树
分类号 H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本