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发明名称
金属连线结构及其制造方法
摘要
一种利用含矽–碳薄膜作为介电层之中间层的钨–铜内连线结构。在具有导电区的半导体基底上,先覆盖一绝缘层。该绝缘层上具有开口以露出该导电区。以钨插塞填充该介层洞以电性连结该导电区。该绝缘层与钨插塞上覆盖含矽–碳薄膜以及低介电常数介电层,其上有沟槽露出其下的钨插塞,而沟槽中则填充铜或铜合金层形成导线。
申请公布号
TW200512869
申请公布日期
2005.04.01
申请号
TW093108245
申请日期
2004.03.26
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
余振华;施足;刘重希;郑双铭;曾鸿辉
分类号
H01L21/768
主分类号
H01L21/768
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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