发明名称 | 晶圆清洗制程 | ||
摘要 | 一种晶圆清洗制程,其中此晶圆清洗制程包括至少一清洗步骤,其特征在于进行每一个清洗步骤之前,使用一氧化剂,以于晶圆表面形成保护膜,其中此氧化剂中含有臭氧或氢氧自由基。由于在进行清洗步骤之前,先于晶圆表面形成保护膜,因此可以避免清洗液或金属微粒侵蚀晶圆表面的问题。 | ||
申请公布号 | TW200512818 | 申请公布日期 | 2005.04.01 |
申请号 | TW092125563 | 申请日期 | 2003.09.17 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 黄致远 |
分类号 | H01L21/304 | 主分类号 | H01L21/304 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |