发明名称 晶圆清洗制程
摘要 一种晶圆清洗制程,其中此晶圆清洗制程包括至少一清洗步骤,其特征在于进行每一个清洗步骤之前,使用一氧化剂,以于晶圆表面形成保护膜,其中此氧化剂中含有臭氧或氢氧自由基。由于在进行清洗步骤之前,先于晶圆表面形成保护膜,因此可以避免清洗液或金属微粒侵蚀晶圆表面的问题。
申请公布号 TW200512818 申请公布日期 2005.04.01
申请号 TW092125563 申请日期 2003.09.17
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 黄致远
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号