发明名称 金属凸块制程
摘要 本发明揭示一种金属凸块制程,包含:提供一基底,具有一导电层于上述基底的一表面上,上述导电层具有一边缘部;形成一助脱膜层于上述导电层之边缘部上;形成一图案化的罩幕层于上述基底上,暴露上述导电层上之复数个凸块预定区,但未暴露上述助脱膜层;将上述助脱膜层及其上方的罩幕层,分别自上述导电层上移除,暴露上述导电层之边缘部;提供一电性接触元件接触上述导电层之边缘部;藉由上述电性接触元件使上述导电层连接一外部电源,以电镀法形成复数个金属凸块于上述凸块预定区的上述导电层上;去除上述图案化后之罩幕层;以及以上述金属凸块为罩幕,蚀刻去除部分导电层,以形成复数个球底金属层。
申请公布号 TW200512908 申请公布日期 2005.04.01
申请号 TW092126597 申请日期 2003.09.26
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 曾琮彦;陈志豪;蔡骐隆
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号