用以于深沟槽结构上形成浅沟槽之方法

摘要

揭示一种于深沟槽结构上形成浅沟槽之方法。本发明之方法包含步骤有于深沟槽结构上形成一衬垫层；于衬垫层上形成一非晶矽层；将选定之离子植入非晶矽层之部分区域；使非晶矽层氧化以形成一氧化层，其中非晶矽层有植入选定离子之区域以及未被植入选定离子之区域所形成的氧化层厚度不同，深沟槽中所填入之复晶矽上方有一部分区域的氧化层之厚度较厚；移除部分氧化层，以使氧化层厚度较薄的区域被移除，而厚度较厚的部分有剩余的氧化层；移除未被剩余的氧化层覆盖的衬垫层部分，使深沟槽之复晶矽暴露出；以及移除暴露出的复晶矽以形成浅沟槽。本方法所形成之浅沟槽系具有良好的轮廓。