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1.一种发光二极体之晶片覆层构造,其发光二极体系设有不同极性之导电端以及一承载部,在承载部处固设有一晶片,并由金线构成晶片之电极层与导电端之连接;其特征在于:该晶片之上方系覆盖一聚光体,该聚光体系具有突出承载部之聚光部,整体聚光部系围绕有若干聚光面,俾获致一可将晶片之光源平均折射至各聚光面,以获致较佳之亮度表现效果之晶片覆层构造。2.如申请专利范围第1项所述发光二极体之晶片覆层构造,其中,该承载部系为设在其中一导电端上的碗杯状形体,并设有一透明封装体将聚光体、晶片、呈载部包覆,各导电端并延伸出透明封装体外部成为电源接点。3.如申请专利范围第1项所述发光二极体之晶片覆层构造,其中,该承载部系为设置在电路板上的凹坑状形体,各导电端系为直接布设在电路板之电路接点,俾获致一建构在电路板上之发光二极体。4.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光二极体之晶片覆层构造,其中,该聚光体之聚光部系呈斜锥状。5.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光二极体之晶片覆层构造,其中,该聚光体之聚光部系呈伞状。6.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光二极体之晶片覆层构造,其中,该聚光体之聚光部系呈伞状,并且在聚光部之顶端设有一球面。7.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光二极体之晶片覆层构造,其中,该聚光体与晶片之间系设有一透明间隔体。8.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光二极体之晶片覆层构造,其中,该承载部中设有萤光材料。9.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光二极体之晶片覆层构造,其中,该聚光体之聚光部系呈斜锥状;该聚光体与晶片之间系设有一透明间隔体;该承载部中设有萤光材料。10.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光二极体之晶片覆层构造,其中,该聚光体之聚光部系呈伞状;该聚光体与晶片之间系设有一透明间隔体;该承载部中设有萤光材料。11.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光二极体之晶片覆层构造,其中,该聚光体之聚光部系呈伞状,并且在聚光部之顶端设有一球面;该聚光体与晶片之间系设有一透明间隔体;该承载部中设有萤光材料。12.如申请专利范围第8项所述发光二极体之晶片覆层构造,其中,该承载部中设有萤光材料,该萤光材料系由固晶粘着材料混合萤光粉所构成。13.如申请专利范围第1项所述发光二极体之晶片覆层构造,其中,该聚光体系混有萤光材料。图式简单说明:第一图系为习用发光二极体之结构示意图。第二图系为本创作第一实施例之发光二极体之结构示意图。第三图系为本创作第一实施例之聚光体成型模具外观图。第四图系为本创作第一实施例之模穴外观图。第五图系为本创作第二实施例之发光二极体之结构示意图。第六图系为本创作第二实施例之聚光体成型模具外观图。第七图系为本创作第二实施例之模穴外观图。第八图系为本创作第三实施例之发光二极体之结构示意图。第九图系为本创作第四实施例之发光二极体之结构示意图。 |
