| 主权项 |
1.一种选择性沉积碳奈米结构于矽晶基材之方法,依序至少包含下列步骤:(a)于矽晶基材上决定欲成长碳奈米结构的区域,藉由:(i)沉积一层二氧化矽于矽晶基材上,再(i)利用半导体制程技术将光罩图案转移至矽晶基材上,而该光罩图案定义欲成长碳奈米结构的区域;(b)于欲成长碳奈米结构的区域生长金属矽化物,藉由:(iii)沉积金属薄膜;再(iv)使用快速升温热处理法生长金属矽化物,该金属矽化物之生长区域为金属薄膜与矽晶基材之接触区域;与(v)使用化学蚀刻方法去除未生成金属矽化物之金属薄膜;(c)于金属矽化物表面利用化学气相沉积法成长碳奈米结构。2.如申请专利范围第1项所述之选择性沉积碳奈米结构于矽晶基材之方法,其中,所沉积之金属薄膜系为铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)或铂(Pt)之任一种金属或其合金。3.如申请专利范围第1项所述之选择性沉积碳奈米结构于矽晶基材之方法,其中,所沉积之金属薄膜厚度系为5埃-1200埃。4.如申请专利范围第1项所述之选择性沉积碳奈米结构于矽晶基材之方法,其中,化学气相沉积法系为微波电浆化学气相沉积法。5.如申请专利范围第1项所述之选择性沉积碳奈米结构于矽晶基材之方法,其中,化学气相沉积法系为电子回旋共振化学气相沉积法。6.如申请专利范围第1项所述之选择性沉积碳奈米结构于矽晶基材之方法,其中,化学气相沉积法系为热化学气相沉积法。图式简单说明:第1图系为本发明方法之流程图。第2图系为本发明方法之实施例图。第3图系为利用本发明成长之碳奈米管在扫描式电子显微镜下之结果图。第4图系为利用本发明成长之碳奈米管于半导体元件示意图。第5图系为利用本发明成长之碳奈米管于场发射显示器电子发射源示意图。 |
