| 主权项 |
1.一种电路基板之制造方法,系包含:转印晶片形成制程,用于在第1基板上形成转印晶片,该转印晶片包含:以积层膜形成之薄膜电路,及作为连接该薄膜电路与其他电路用之连接端子的多数个第1焊垫电极;转印对象基板形成制程,用于形成包含电路配线及多数个第2焊垫电极的第2基板,该第2焊垫电极,系连接于该电路配线之同时,与形成于上述转印晶片上之上述多数个第1焊垫电极之各个对应配置于转印对象区域;及转印制程,用于将上述第1基板上之上述转印晶片转印于上述第2基板上之上述转印对象区域使上述薄膜电路连接于上述电路配线而形成电路基板;上述多数个第1焊垫电极,系涵盖上述转印晶片之一面全体被配置,各第1焊垫电极系形成为覆盖构成其下侧存在之上述薄膜电路之薄膜元件或薄膜配线,依此而使表面产生之凹凸部分之最高部分之高度于各焊垫电极形成为大略相同。2.如申请专利范围第1项之电路基板之制造方法,其中上述多数个第1焊垫电极,系于形成上述薄膜元件或上述薄膜配线时被附加高度调整膜据以调整上述凹凸部分之最高部分之高度。3.如申请专利范围第1或2项之电路基板之制造方法,其中于上述转印对象基板形成制程中,上述多数个第2焊垫电极,系形成为覆盖构成其下侧存在之上述电路配线,依此而使表面产生之凹凸部分之最高部分之高度于各第2焊垫电极形成为大略相同。4.如申请专利范围第3项之电路基板之制造方法,其中上述多数个第2焊垫电极,系于形成上述电路配线时被附加高度调整膜据以调整上述凹凸部分之最高部分之高度。5.如申请专利范围第1或2项之电路基板之制造方法,其中上述多数个第1焊垫电极之各个,其于上述最高部分对应区域中之上述积层膜之膜构成为相同。6.如申请专利范围第1或2项之电路基板之制造方法,其中上述多数个第2焊垫电极之各个,其于上述最高部分对应区域中之下侧之上述积层膜之膜构成为相同。7.一种电路基板之制造方法,系包含:转印晶片形成制程,用于在第1基板上形成转印晶片,该转印晶片包含:以积层膜形成之薄膜电路,及作为连接该薄膜电路与其他电路用之连接端子的多数个第1焊垫电极;转印对象基板形成制程,用于形成包含电路配线及多数个第2焊垫电极的第2基板,该第2焊垫电极,系连接于该电路配线之同时,与形成于上述转印晶片上之上述多数个第1焊垫电极之各个对应配置于转印对象区域;及转印制程,用于将上述第1基板上之上述转印晶片转印于上述第2基板上之上述转印对象区域使上述薄膜电路连接于上述电路配线而形成电路基板;上述多数个第1焊垫电极,系涵盖上述转印晶片之一面全体被配置,各第1焊垫电极系形成为覆盖构成其下侧存在之上述薄膜电路之薄膜元件或薄膜配线,上述多数个第2焊垫电极,系和上述多数个第1焊垫电极之配置对应地涵盖上述转印对象区域全体被配置,各第2焊垫电极系形成为覆盖构成其下侧存在之上述电路配线,上述第1焊垫电极与第2焊垫电极之各个系形成于,可使呈对向配置而构成对之一组第1及第2焊垫电极之各个之表面产生之凹凸部分之最高部分之高度合计成为大略一定。8.如申请专利范围第1、2或7项之电路基板之制造方法,其中上述转印制程包含:在上述转印晶片上形成之上述第1焊垫电极与上述第2基板上形成之上述第2焊垫电极之间形成接着层的制程。9.如申请专利范围第1、2或7项之电路基板之制造方法,其中上述转印晶片形成制程包含形成剥离层之制程,该剥离层为介于上述第1基板与上述转印晶片之间,且具有藉由被赋与能量产生状态变化以弱化其与上述转印品片间之固接状况的性质。10.一种转印晶片,系作为至少包含:以积层膜形成之薄膜电路,及作为连接该薄膜电路与其他电路用之多数个焊垫电极,的转印单位被形成于第1基板,由该第1基板被转印至形成有配线之第2基板的转印晶片;上述多数个焊垫电极,系涵盖上述转印晶片之一面全体被配置,各焊垫电极系形成为覆盖构成其下侧存在之上述薄膜电路之薄膜元件或薄膜配线,依此而使表面产生之凹凸部分之最高部分之高度于各焊垫电极形成为大略相同。11.一种转印来源基板,系将多数个个申请专利范围第10项之转印晶片形成于基板上而构成者。12.如申请专利范围第11项之转印来源基板,其中上述转印来源基板另具有剥离层,该剥离层为介于上述基板与上述转印晶片之间,且具有藉由被赋与能量产生状态变化以弱化其与上述转印晶片间之固接状况的性质。13.一种光电装置,系使用申请专利范围第1至9项中任一项之制造方法制造之电路基板而制造者。14.一种电子机器,系使用申请专利范围第13项之光电装置作为显示部者。图式简单说明:第1图系概略地表示关于有机EL显示装置的构成之图。第2(a)至(b)图系说明关于画素的构造之图。第3图系表示晶片的内部构造的平面图。第4图系说明关于焊垫电极的图。第5(a)至(b)图系说明关于焊垫电极的高度之图。第6图系说明关于被形成在画素中的焊垫电极之图。第7(a)至(b)图系说明关于被形成在画素中的焊垫电极之图。第8(a)至(e)图系说明关于本实施形态的制造方法之图。第9(a)至(c)图系说明关于本实施形态的制造方法之图。第10图系说明关于使用异方性导电膜来形成接着层之情况的图。第11(a)至(d)图系表示可以应用有机EL显示装置之电子机器的具体例之图。第12图系说明关于被对向配置而成对的各焊垫电极的最高部分的高度之合计,作成大略成为一定的情况之图。 |
