发明名称 晶圆级CMOS制造之保护结构
摘要 一种「晶圆级CMOS制造之保护结构」,其系在晶圆级 CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,互补性氧化金属半导体)元件制造过程中,用以保护CMOS元件之微镜头(Micro lens)表面者;其特征在于:系于以晶圆方式制造的晶片部嵌设有一CMOS元件之微镜头,且四周遍布有接脚,在该CMOS元件之微镜头以一圈UV或光学胶黏附的方式将一对应CMOS元件之微镜头大小的该玻璃片,直接黏附在CMOS元件之微镜头的区域周缘的上方;据上述结构使用时,可避免该CMOS元件之微镜头在制造过程中沾附灰尘。
申请公布号 TWM260871 申请公布日期 2005.04.01
申请号 TW093212943 申请日期 2004.08.13
申请人 富际科技股份有限公司 发明人 吴政圜
分类号 H01L27/14 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 樊欣佩 台北市中正区衡阳路36号4楼
主权项 1.一种「晶圆级CMOS制造之保护结构」,其系在晶圆级CMOS元件之微镜头制造过程中,用以保护CMOS元件之微镜头表面者;其特征在于:系于以晶圆方式制造的晶片中央部嵌设有一CMOS元件之微镜头,且四周遍布有接脚,在该CMOS元件之微镜头以一圈UV或光学胶黏附的方式将一对应CMOS元件之微镜头大小的该玻璃片,直接黏附在CMOS元件之微镜头的区域周缘的上方。2.如申请专利范围第1项所述之「晶圆级CMOS制造之保护结构」,其中CMOS元件之微镜头的区域周缘以涂布方式点上一圈UV或光学胶。3.如申请专利范围第1项所述之「晶圆级CMOS制造之保护结构」,其中CMOS元件之微镜头的区域周缘以印刷方式点上一圈UV或光学胶。4.如申请专利范围第1项所述之「晶圆级CMOS制造之保护结构」,其中,该圈UV或光学胶可选择性留有一细缝,使得玻璃片与晶片内部的CMOS元件之微镜头间保持非完全密闭之状态。图式简单说明:第一图为本创作之立体分解图第二图为本创作组合后之侧面剖视图第三图为本创作制作流程图第四图为本创作另一种制作流程图第五图为本创作另一种制作流程图
地址 新竹县竹北市中正东路197号8楼之1