| 主权项 |
1.一种在基材上形成导电垫的方法,其包括下列步骤:提供具有起初露出表面之第一金属层的基材;沈积第二金属层于起初露出的表面上;退火该基材以使一部份金属层形成合金,其中该金属层包括起初露出的表面和一部份第二金属层;以及除去第二金属层上未形成合金的部份。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该提供步骤中之该第一金属层包括从铜、铝和钨所构成之组群选择之金属。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该沈积步骤中之该第二金属层包含选自锡、铟、铝及锌所构成组群之金属。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中沈积第二金属层的步骤包括沈积一层可形成合金的金属。5.根据申请专利范围第3项之方法,其中沈积第二金属层的步骤包括:从锡、铟、铝和锌所构成之组群选择一种可形成合金的金属;和沈积一层可形成合金的金属。6.根据申请专利范围第3项之方法,其中退火步骤包括在约150℃至约400℃的温度范围下退火一段约5分钟至约120分钟的时间。7.根据申请专利范围第3项之方法,其中去除步骤包括藉一种湿蚀刻方法的使用除去未形成合金的部份。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中提供步骤包括使该基材之起初露出的表面几乎与该基材的顶面共平面。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中提供步骤包括使基材具有几乎与该基材的顶面共平面之金属层底面。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中提供步骤包括使基材具有可与金属层电连接之内部配电层。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中提供步骤包括在基材顶面上形成介电层,因此该介电层上的一个开口显露出起初露出的金属层表面。12.根据申请专利范围第1项之方法,另外包括黏贴互连线至金属化层。13.根据申请专利范围第12项之方法,其中黏贴互连线的步骤包括从引线接合互连线和C4互连线所构成的一族中选择互连线。14.一种电的结构物,其包含基材、垫和互连物,其中该垫系由申请专利范围第1项之方法所形成。15.一种形成键结垫结构物以供半导体元件使用之方法:-提供半导体基材,其包含至少一层经绝缘/介电层覆盖的铜冶金层;-在该绝缘/介电层上形成开口以至少暴露出一些区域的铜;-在暴露出的铜上形成一层铜合金形成层;-退火该基材使合金形成层与一部份该铜层形成合金;和-选择性地除去部份合金形成层。图式简单说明:图1描述据本发明之第一个较佳具体实例,基材内所露出之金属层的侧视截面图。图2描述在基材顶面上形成介电层之后的图1。图3描述图2的一部份,其说明一图2中该介电层的四层表象图。图4描述第二金属层沈积在该基材上之后的图2。图5描述图4在退火步骤之后形成一金属化层。图6描述除去第二金属层顶部非合金部份之后的图5。图7A描述引线接合被黏贴至该金属化层之后的图6。图7B描述有引线接合的图7A被一C4焊接球取代。图8描述在金属化层之后,被选择性镀上的薄膜覆盖其上的图2是以无电将该薄膜镀在该金属层上。图9描述一引线接合被黏贴至该薄膜之后的图8。图10以介电层顶面上方之薄膜的顶面说明图9。图11描述据本发明之第二个较佳具体实例,基材上所露出之金属层的侧视截面图。图12描述在基材顶面上形成介电层之后的图11。图13描述第二金属层沈积在该基材上之后的图12。图14描述图13在退火步骤之后形成一金属化层。图15描述除去第二金属层顶部非合金部份之后的图14。图16描述引线接合被黏贴至该金属化层之后的图15。图17描述在金属化层之后,被选择性镀上的薄膜覆盖其上的图12是以无电将该薄膜镀在该金属层上。图18描述一引线接合被黏贴至该薄膜之后的图17。图19以介电层顶面上方之薄膜的顶面说明图18。图20描述退火相连铟和铜层所造成的铜和铟分布。图21描述退火相连锡和铜层所造成的锡和铜分布。图22描述退火相连铟和铜层所造成的板电阻。图23描述退火相连锡和铜层所造成的板电阻。 |
