| 主权项 |
1.一种光罩,其特征在于具备:基板;选择地形成于前述基板上之半透明膜;及选择地形成于前述半透明膜上的遮光膜;设前述基板、半透明膜及遮光膜的各个杨氏系数(MPa)为E0、E1及E2,设各个的厚度(m)为d0、d1及d2,设前述半透明膜及遮光膜于室温之各个内部应力(MPa)为s1及s2,设未形成前述遮光膜之区域之前述半透明膜的覆盖率为h,设系数k1至k4各个为k1=1.310-8、k2=-9.510-2、k3=6.010-7、k4=-5.210-2,则满足以下条件:2.根据申请专利范围第1项之光罩,其中前述遮光膜于室温之内部应力为500MPa以上5GPa以下。3.根据申请专利范围第1项之光罩,其中满足以下条件:4.根据申请专利范围第3项之光罩,其中前述遮光膜于室温之内部应力为1GPa以上4.5GPa以下。5.根据申请专利范围第1项之光罩,其中前述覆盖率h为100%>h≧30%。6.根据申请专利范围第1项之光罩,其中前述基板包含石英,前述半透明膜包含MoSiON,前述遮光膜包含Cr。7.根据申请专利范围第1项之光罩,其中透过未形成前述半透明膜及遮光膜之区域之光与透过形成有前述半透明膜之区域之光的相位相异。8.一种光罩之制造方法,其特征在于包含:于基板上顺次层叠形成半透明膜及遮光膜,测定前述半透明膜及遮光膜的内部应力,设前述基板、半透明膜及遮光膜的各个杨氏系数(MPa)为E0、E1及E2,设各个的厚度(m)为d0、d1及d2,设前述半透明膜及遮光膜于室温之各个内部应力(MPa)为s1及s2,设光罩图案形成后的未形成前述遮光膜之区域之前述半透明膜的假想覆盖率为h,设系数k1至k4各个为k1=1.310-8、k2=-9.510-2、k3=6.010-7、k4=-5.210-2,设光罩图案形成后的期望光罩的预测弯曲量为A(m-1)时,判定是否满足下式:基于前述判定结果,如成为满足前述式之覆盖率般地选择地除去前述半透明膜及前述遮光膜。9.根据申请专利范围第8项之光罩之制造方法,其中前述预测弯曲量A为1.410-4(m-1)。10.根据申请专利范围第9项之光罩之制造方法,其中前述遮光膜于室温之内部应力为500MPa以上5GPa以下。11.根据申请专利范围第8项之光罩之制造方法,其中前述预测弯曲量A为0.8710-4(m-1)。12.根据申请专利范围第11项之光罩之制造方法,其中前述遮光膜于室温之内部应力为1GPa以上4.5GPa以下。13.根据申请专利范围第8项之光罩之制造方法,其中前述假想覆盖率h为100%>h≧30%。14.根据申请专利范围第8项之光罩之制造方法,其中透过未形成前述半透明膜及遮光膜之区域之光与透过形成有前述半透明膜之区域之光的相位相异。15.一种电子零件之制造方法,其特征在于包含:于被加工基板上形成光阻,具备基板、选择地形成于前述基板上之半透明膜及选择地形成于前述半透明膜上之遮光膜,设前述基板、半透明膜及遮光膜的各个杨氏系数(MPa)为E0、E1及E2,设各个的厚度(m)为d0、d1及d2,设前述半透明膜及遮光膜于室温之各个内部应力(Mpa)为s1及s2,设未形成前述遮光膜之区域之前述半透明膜的覆盖率为h,设系数k1至k4各个为k1=1.3 10-8、k2=-9.510-2、k3=6.010-7 、k4=-5.210-2,则使满足的条件之光罩的光罩图案透过光而将前述光罩图案转印于前述光阻上,使前述光阻显影,以前述光阻作为遮罩,选择地加工前述被加工基板。16.根据申请专利范围第15项之电子零件之制造方法,其中前述遮光膜于室温之内部应力为500MPa以上5GPa以下。17.根据申请专利范围第15项之电子零件之制造方法,其中满足以下条件:18.根据申请专利范围第17项之电子零件之制造方法,其中前述遮光膜于室温之内部应力为1GPa以上4.5GPa以下。19.根据申请专利范围第15项之电子零件之制造方法,其中前述覆盖率h为100%>h≧30%。20.根据申请专利范围第15项之电子零件之制造方法,其中透过未形成前述半透明膜及遮光膜之区域之光与透过形成有前述半透明膜之区域之光的相位相异。图式简单说明:图1系为显示关于本发明的第1实施方式之光罩的全体结构之纵剖面图。图2A~2C系为关于同实施方式之光罩制造方法的步骤剖面图。图3A~3F为使用关于同实施方式之半色调相移光罩之电子零件的制造方法的步骤剖面图。图4系为显示关于同实施方式之曝光装置的结构的一例之图。图5系为显示关于本发明的第2实施方式之光罩的制造方法的流程图之图。图6系为显示使用于关于同实施方式的变形例的光罩的制造之电脑的一例之图。 |
