| 主权项 |
1.一种发光二极体,包含:一基材;一第一导电型氮化物层,位于该基材上以做为一包覆层;一活性层,位于该第一导电型氮化物层上以做为一发光层;一第二导电型氮化物层,位于该活性层上以做为一包覆层;一第一接触层,位于该第二导电型氮化物层上,该第一接触层具有一第一能隙;一第二接触层,位于该第一接触层上,该第二接触层具有一第二能隙,其中该第一能隙系小于该第二能隙;以及一导电透光层,位于该第二接触层上;其中该第二接触层系小于一预定厚度,使该导电透光层与该第二接触层之间在该发光二极体操作时产生一隧道效应。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中:该第一接触层具有一第一掺杂浓度;以及该第二接触层具有一第二掺杂浓度,且该第一掺杂浓度与该第二掺杂浓度系分别大于一预定浓度。3.如申请专利范围第2项所述之发光二极体,其中该预定系为5*1016cm-3。4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该预定厚度为20埃(Angstrom)。5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该第一接触层系为氮化铟镓铝。6.如申请专利范围第5项所述之发光二极体,其中该第一接触层之组成为InxGayAlzN,且x+y+z=1,0≦x,y,z≦1。7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该第二接触层系为氮化铟镓铝。8.如申请专利范围第7项所述之发光二极体,其中该第二接触层之组成为InxGayAlzN,且x+y+z=1,0≦x,y,z≦1。9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该导电透光层包含氧化铟锡、氧化锌、氧化铟、氧化锆等。10.一种氮化铟镓铝发光二极体,包含:一基材;一第一导电型氮化物层,位于该基材上以做为一包覆层;一活性层,位于该第一导电型氮化物层上以做为一发光层;一第二导电型氮化物层,位于该活性层上以做为一包覆层;一第一氮化铟镓铝层,位于该第二导电型氮化物层上,该第一氮化铟镓铝层具有一第一能隙及一第一掺杂浓度;一第二氮化铟镓铝层,位于该第一氮化铟镓铝层上,该第二氮化铟镓铝层具有一第二能隙及一第二掺杂浓度,其中该第一能隙系小于该第二能隙,且该第一掺杂浓度与该第二掺杂浓度系分别大于一预定浓度;以及一导电透光层,位于该第二氮化铟镓铝层上;其中该第二氮化铟镓铝层系小于一预定厚度,使该导电透光层与该第二氮化铟镓铝层之间在该发光二极体操作时产生一隧道效应。11.如申请专利范围第10项所述之发光二极体其中该预定浓度系为5*1016cm-3。12.如申请专利范围第10项所述之发光二极体,其中该预定厚度为20埃。13.如申请专利范围第10项所述之发光二极体,其中该第一氮化铟镓铝层之组成为InxGayAlzN,且x+y+z=1,0≦x,y,z≦1。14.如申请专利范围第10项所述之发光二极体,其中该第二氮化铟镓铝层之组成为InxGayAlzN,且x+y+z=1,0≦x,y,z≦1。15.如申请专利范围第10项所述之发光二极体,其中该导电透光层包含氧化铟锡、氧化锌、氧化铟、氧化锆等。16.一种形成氮化铟镓铝发光二极体之方法,包含:提供一基材;形成一第一导电型氮化物层于该基材上,以做为一包覆层;形成一活性层于该第一导电型氮化物层上,以做为一发光层;形成一第二导电型氮化物层于该活性层上,以做为一包覆层;形成一第一氮化铟镓铝层于该第二导电型氮化物层上,该第一氮化铟镓铝层具有一第一能隙及一第一掺杂浓度;形成一第二氮化铟镓铝层于该第一氮化铟镓铝层上,该第二氮化铟镓铝层具有一第二能隙及一第二掺杂浓度,其中该第一能隙系小于该第二能隙,且该第一掺杂浓度与该第二掺杂浓度系大于一预定浓度;以及形成一导电透光层于该第二氮化铟镓铝层上;其中该第二氮化铟镓铝层系小于一预定厚度,使该导电透光层与该第二氮化铟镓铝层之间在该发光二极体操作时产生一隧道效应。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该预定浓度系大于5*1016cm-3。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该预定厚度为20埃。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第一氮化铟镓铝层之组成为InxGayAlzN,且x+y+z=1,0≦x,y,z≦1。20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第二氮化铟镓铝层之组成为InxGayAlzN,且x+y+z=1,0≦x,y,z≦1。图式简单说明:图1A为依照本发明一具体实施例之高亮度发光二极体的示意图;图1B为图1A中所示高亮度发光二极体的能阶示意图;图2A为依照本发明另一具体实施例之高亮度发光二极体的示意图;图2B为图2A中所示高亮度发光二极体的能阶示意图;以及图3为依照本发明又一具体实施例之高亮度发光二极体的示意图。 |
