| 主权项 |
1.一种高分子材料之合成方法,其具有:超分子构造之形成步骤,其系藉由溶液状态之路易士酸与路易士硷之酸硷相互作用,使其自己组织化而形成超分子构造者;及聚合体之立体构造之形成步骤,其系将构成前述超分子构造之路易士酸与前述路易士硷作为让前述超分子构造聚合之反应场使其聚合而生成聚合体之立体构造者。2.如申请专利范围第1项之高分子材料之合成方法,其中前述之聚合体立体构造为于内部以高规则性具有多数之微细孔洞之薄膜。3.一种高分子材料之合成方法,其具有:单体附加体之生成步骤,其系于溶液中使为路易士酸之第一单体与为路易士硷之第二单体行路易士酸硷基反应,前述之第一单体与第二单体基于弱电相互作用键结而成者;由前述单体附加体构成之超分子固体之合成步骤,其系于含前述单体附加体之前述溶液中使溶剂挥发而生成超分子固体者;及高分子固体之生成步骤,其系于前述超分子固体内让前述第一单体与前述第二单体行聚合反应而生成高分子固体者。4.如申请专利范围第3项之高分子材料之合成方法,其中前述之路易士酸为羧酸衍生物、醇衍生物、酮衍生物、醛衍生物或酸酐衍生物,且前述之路易士硷为胺衍生物。5.如申请专利范围第3项之高分子材料之合成方法,其中前述之路易士酸为具羧基之金刚烷衍生物,且前述之路易士硷为具胺基之四联苯胺衍生物、具胺基之四苯胺衍生物、或具胺基之二胺基二羟基苯衍生物。6.如申请专利范围第5项之高分子材料之合成方法,其中具羧基之金刚烷衍生物为1-羧基金刚烷衍生物、1,3-二羧基金刚烷衍生物、1,3,5-三羧基金刚烷衍生物、或1,3,5,7-四羧基金刚烷衍生物,或此等衍生物之混合物。7.如申请专利范围第3项之高分子材料之合成方法,其中前述路易士酸为具羧基之苯衍生物、具羧基之联苯衍生物、具羧基之衍生物、具羧基之衍生物、或具羧基之1,2,3,4-四氢衍生物,且前述之路易士硷为具胺基之金刚烷衍生物。8.如申请专利范围第7项之高分子材料之合成方法,其中前述之具胺基之金刚烷衍生物为1-胺基金刚烷衍生物、1,3-二胺基金刚烷衍生物、1,3,5-三胺基金刚烷衍生物、或1,3,5,7-四胺基衍生物,或此等衍生物之混合物。9.如申请专利范围第3项之高分子材料之合成方法,其中于前述之第1单体及前述之第2单体中至少一种为具弹性键结者。10.如申请专利范围第9项之高分子材料之合成方法,其中前述之弹性键结是由于亚甲基形成者。11.一种高分子薄膜之形成方法,其具有:单体附加体之形成步骤,其系于溶液中使为路易士酸之第1单体与为路易士硷之第2单体行路易士酸硷反应,基于前述之第1单体与前述第2单体之微弱电相互作用键结而成;由前述单体附加体形成之超分子固体薄膜之形成步骤,其系将含前述单体附加体之前述溶液于基板上涂布者;及高分子薄膜之形成步骤,其系将前述超分子固体薄膜加热,于前述超分子固体薄膜内部使前述之第1单体与前述之第2单体行聚合反应者。12.如申请专利范围第11项之高分子薄膜之形成方法,其中前述路易士酸为羧酸衍生物、醇衍生物、酮衍生物、醛衍生物或酸酐衍生物,且前述路易士硷为胺衍生物者。13.如申请专利范围第11项之高分子薄膜之形成方法,其中前述之路易士酸为具羧基之金刚烷衍生物,且前述之路易士硷为具胺基之四联苯胺衍生物、具胺基之四苯胺衍生物、或具胺基之二胺基二羟基苯衍生物。14.如申请专利范围第13项之高分子薄膜之形成方法,其中前述之具羧基之金刚烷衍生物为1-羧基金刚烷衍生物、1,3-二羧基金刚烷衍生物、1,3,5-三羧基金刚烷衍生物、或1,3,5,7-四羧基金刚烷衍生物,或此等衍生物之混合物。15.如申请专利范围第11项之高分子薄膜之形成方法,其中前述之路易士酸为具羧基之苯衍生物、具羧基之联苯衍生物、具羧基之衍生物、具羧基之衍生物、或具羧基之1,2,3,4-四氢衍生物,且前述之路易士硷为具胺基之金刚烷衍生物。16.如申请专利范围第15项之高分子薄膜之形成方法,其中前述之具胺基之金刚烷衍生物为1-胺基金刚烷衍生物、1,3-二胺基金刚烷衍生物、1,3,5-三胺基金刚烷衍生物、或1,3,5,7-四胺基衍生物,或此等衍生物之混合物。17.如申请专利范围第11项之高分子薄膜之形成方法,其中于前述之第1单体及前述之第2单体中最少一种为具弹性键结者。18.如申请专利范围第17项之高分子薄膜之形成方法,其中前述之弹性键结是由亚甲基形成者。19.一种层间绝缘膜之形成方法,其具有:单体附加体之形成步骤,其系于溶液中使为路易士酸之第1单体与为路易士硷之第2单体行路易士酸硷反应,基于前述之第1单体与前述第2单体之微弱电相互作用键结而成者;由前述单体附加体形成之超分子固体薄膜之形成步骤,其系将含前述单体之附加体前述溶液于基板上涂布者;及层间绝缘膜之形成步骤,其系将前述超分子固体薄膜加热,于前述超分子固体薄膜内部让前述之第1单体与前述之第2单体行聚合反应者。20.如申请专利范围19项之层间绝缘膜之形成方法,其中前述路易士酸为羧酸衍生物、醇衍生物、酮衍生物、醛衍生物或酸酐衍生物,且前述路易士硷为胺衍生物者。21.如申请专利范围第19项之层间绝缘膜之形成方法,其中前述之路易士酸为具羧基之金刚烷衍生物,且前述路易士硷为具胺基之四联苯胺衍生物、具胺基之四苯胺衍生物、或具胺基之二胺基二羟基苯衍生物。22.如申请专利范围第21项之层间绝缘膜之形成方法,其中前述具羧基之金刚烷衍生物为1-羧基金刚烷衍生物、1,3-二羧基金刚烷衍生物、1,3,5-三羧基金刚烷衍生物、或1,3,5,7-四羧基金刚烷衍生物,或此等衍生物之混合物。23.如申请专利范围第19项之层间绝缘膜之形成方法,其中前述之路易士酸为具羧基之苯衍生物、具羧基之联苯衍生物、具羧基之衍生物、具羧基之衍生物、或具羧基之1,2,3,4-四氢衍生物,且前述路易士硷为具胺基之金刚烷衍生物。24.如申请专利范围第23项之层间绝缘膜之形成方法,其中前述具胺基之金刚烷衍生物为1-胺基金刚烷衍生物、1,3-二胺基金刚烷衍生物、1,3,5-三胺基金刚烷衍生物、或1,3,5,7-四胺基衍生物,或此等衍生物之混合物。25.如申请专利范围第19项之层间绝缘膜之形成方法,其中于前述之第1单体及前述之第2单体中最少一种为具弹性键结者。26.如申请专利范围第25项之层间绝缘膜之形成方法,其中前述之弹性键结是由亚甲基形成者。图式简单说明:图1系显示(a)由于路易士酸与路易士硷之微弱电相互作用而键结之概念图。(b)系为由路易士酸与路易士硷构成之单体附加之模式图。图2系显示为将路易士酸之第1单体与为路易士硷之第2单体聚合生成之高分子固体之模式图。图3(a)及(b)系显示为路易士酸之第一单体之化学式之一例。图4(a)及(b)系显示为路易士酸之第一单体之化学式之一例。图5(a)~(d)系显示为路易士酸之第一单体之化学式之一例。图6(a)~(d)系显示为路易士酸之第一单体之化学式之一例。图7(a)~(d)系显示为路易士硷之第二单体之化学式之一例。图8(a)~(d)系显示为路易士硷之第二单体之化学式之一例。图9(a)及(b)系显示为路易士硷之第二单体之化学式之一例。图10(a)及(b)系显示为路易士硷之第二单体之化学式之一例。图11系显示聚咪唑系聚合物之生成过程之化学反应式。图12系显示聚咪唑系聚合物之生成过程之化学反应式。图13系显示聚醯亚胺系聚合物之生成过程之化学反应式。图14(a)~(d)系说明本发明实施例之化学式。图15系显示依本发明实施例而得之单体附加体之模式图。图16系本实施例之高分子膜与习知例之高分子膜比较之表示图。图17系本实施例之高分子膜与习知例之高分子膜比较之表示图。 |
