| 主权项 |
1.一种晶圆(wafer),包括:一第一裸晶(die);一切割道(scribe line),形成于该第一裸晶之外之该晶圆上;一第一老化图案生成电路(aging pattern generationcircuit),该第一老化图案生成电路用以对该第一裸晶进行老化(aging)测试;以及一电极垫(pad),设置于该切割道上并与该第一老化图案生成电路电性连接,该电极垫用以与一电压源电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆,其中该晶圆更包括:一第二裸晶;以及一第二老化图案生成电路,该第二老化图案生成电路用以对该第二裸晶进行老化测试,该第二老化图案生成电路系与该电极垫电性连接;其中,当该电极垫与该电压源电性连接时,该第一老化图案生成电路与该第二老化图案生成电路同时分别对该第一裸晶与该第二裸晶进行老化测试。3.如申请专利范围第2项所述之晶圆,其中该电极垫系利用一走线,与该第一老化图案生成电路以及该第二老化图案生成电路电性连接。4.如申请专利范围第2项所述之晶圆,其中该第一老化图案生成电路与该第二老化图案生成电路系各自内建于该第一裸晶与该第二裸晶上或各自形成于该切割道上。5.如申请专利范围第1项所述之晶圆,其中该晶圆更包括一第二裸晶,与该第一老化图案生成电路电性连接;当该电极垫与该电压源电性连接时,该第一老化图案生成电路同时对该第一裸晶与该第二裸晶进行老化测试。6.如申请专利范围第5项所述之晶圆,其中该第一老化图案生成电路系利用一走线,与该第一裸晶以及该第二裸晶电性连接。7.如申请专利范围第5项所述之晶圆,其中该第一老化图案生成电路系形成于该切割道上。8.如申请专利范围第1项所述之晶圆,其中该第一老化图案生成电路系内建于该第一裸晶上或形成于该切割道上。9.一种实施于申请专利范围第1项所述之晶圆的老化测试之方法,包括:提供该晶圆;电性连接该电极垫与该电压源;以及该第一老化图案生成电路对位于该晶圆上之该第一裸晶进行老化测试。10.如申请专利范围第9项所述之老化测试之方法,其中,于该进行老化测试之后,更包括:沿着该切割道切割该晶圆。11.如申请专利范围第9项所述之老化测试之方法,其中该第一老化图案生成电路系内建于该第一裸晶上或形成于该切割道上。12.如申请专利范围第9项所述之老化测试之方法,该晶圆更包括一第二裸晶及一第二老化图案生成电路,该第二老化图案生成电路用以对该第二裸晶进行老化测试,该第二老化图案生成电路系与该电极垫电性连接,其中,于该进行老化测试之步骤中,该第一老化图案生成电路与该第二老化图案生成电路分别对该第一裸晶与该第二裸晶进行老化测试。13.如申请专利范围第12项所述之老化测试之方法,其中该电极垫系利用一走线,与该第一老化图案生成电路以及该第二老化图案生成电路电性连接。14.如申请专利范围第12项所述之老化测试之方法,其中该第一老化图案生成电路与该第二老化图案生成电路系各自内建于该第一裸晶与该第二裸晶上或各自形成于该切割道上。15.如申请专利范围第9项所述之老化测试之方法,该晶圆更包括一第二裸晶,该第二裸晶与该第一老化图案生成电路电性连接;其中,于该进行老化测试之步骤中,该第一老化图案生成电路同时对该第一裸晶与该第二裸晶进行老化测试。16.如申请专利范围第15项所述之老化测试之方法,其中该第一老化图案生成电路系利用一走线,与该第一裸晶以及该第二裸晶电性连接。17.如申请专利范围第15项所述之老化测试之方法,其中该第一老化图案生成电路系形成于该切割道上。18.一种老化与电性测试之方法,包括下列步骤:提供内建一老化图案生成电路之一第一裸晶与一第二裸晶;提供一测试装置;以及以该测试装置,同时对该第一裸晶作电性测试及对该第二裸晶作老化测试。19.如申请专利范围第18项所述之老化与电性测试之方法,更包括:以该测试装置,同时对该第二裸晶作电性测试及对该第一裸晶作老化测试。20.一种老化与电性测试之方法,包括下列步骤:提供一第一裸晶与一第二裸晶;提供包含一老化图案生成电路之一测试装置;以及以该测试装置,同时对该第一裸晶作电性测试及对该第二裸晶作老化测试。21.如申请专利范围第20项所述之老化与电性测试之方法,更包括:以该测试装置,同时对该第二裸晶作电性测试及对该第一裸晶作老化测试。图式简单说明:第1A图与第1B图绘示乃本发明第一实施例之晶圆之示意图。第1C图绘示乃于本发明第一实施例之晶圆上进行老化测试之方法的流程图。第2A图与第2B图绘示乃本发明第二实施例之晶圆之示意图。第2C图绘示乃于本发明第二实施例之晶圆上进行老化测试之方法的流程图。第3A图绘示乃本发明第三实施例之晶圆之示意图。第3B图绘示乃于本发明第三实施例之晶圆上进行老化测试之方法的流程图。第4图绘示乃根据本发明第四实施例之老化与电性测试之方法的流程图。第5图绘示乃根据本发明第五实施例之老化与电性测试之方法的流程图。 |
