发明名称 半导体发光元件
摘要 本发明提供一种锌硒系发光元件,该锌硒系发光元件可延长发光元件之寿命。本发明具备活性层(4),其形成于化合物半导体基板1上,且位于n型锌镁硫硒(ZnMgSSe)包覆层(3)与p型锌镁硫硒包覆层(5)之间,并在活性层(4)与p型锌镁硫硒包覆层(5)之间具有障壁层(11),其具有比p型锌镁硫硒包覆层之带隙大的带隙。
申请公布号 TW200512955 申请公布日期 2005.04.01
申请号 TW093110013 申请日期 2004.04.09
申请人 住友电气工业股份有限公司 发明人 藤原伸介;中村孝夫;森大树;片山浩二
分类号 H01L33/00;H01S5/347 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本