藉由一动态更新之基准利用光干涉所施行之薄金属介面之现场侦测

摘要

本发明提供一种在化学机械研磨(CMP)程序期间侦测终点的方法。接收反射光谱资料样本，其与自晶圆表面之照射区反射之数条光谱一致。将该反射光谱资料样本标准化，其利用包含在早于该CMP程序得到之第一反射光谱资料样本的标准化基准。此外，更新程序期间的该标准化基准，其利用早于该CMP程序得到的第二反射光谱资料样本。该第二反射光谱资料样本在该第一反射光谱资料样本之后获得。因此，根据反射光谱资料中产生的光干涉来决定终点。