| 主权项 |
1.一种制造半导体记忆体之方法,包括下列步骤: (a)在一半导体基板上形成一由一触点区氧化物膜 与一氮化物膜所组成的堆叠结构; (b)藉由将该堆叠结构及该半导体基板蚀刻预先决 定深度以形成渠沟,其中该等渠沟系以矩阵形成交 替排列在该半导体基板中,使该等渠沟不会互相邻 接; (c)在渠沟侧壁上形成一第一绝缘间隔; (d)在渠沟中选择性形成一外延矽层,以填充渠沟及 向上挤压成高于该氮化膜; (e)使用由该触点区氧化物膜与该氮化物膜所组成 的该堆叠结构当做一蚀刻停止层,将该外延矽层平 坦化; (f)去除由该触点区氧化物膜与该氮化物膜所组成 的该堆叠结构,以曝露该半导体基板,制作出向上 挤压成形的该平坦化外延矽层; (g)在该挤压成形的外延矽层之侧壁上形成一第二 绝缘间隔,使该外延矽层可电气绝缘于一邻接半导 体基板; (h)分别在该外延矽层与该半导体基板上形成闸氧 化物膜图案; (i)在每个闸氧化物膜图案上形成闸电极;以及 (j)藉由杂质植入法,使用闸电极当作光罩,在闸电 极的两侧形成一源极及一汲极。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一绝缘间 隔包括一由一氧化物膜与一氮化物膜所组成的堆 叠结构。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二绝缘间 隔包括一由一氧化物膜与一氮化物膜所组成的堆 叠结构。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中平坦化该外延 矽层的步骤系藉由化学机械抛光法执行。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体基板 系当做一使用电晶体当做一个别单元系统的显示 转换装置。 6.一种半导体装置,包括: 一半导体基板,其当做一第一主动区,在该半导体 基板上以矩阵形式来交替形成矩形渠沟。 一外延矽层,其当做一第二主动区,填充渠沟并且 向上挤压,使该外延矽层的表面上高于该基板的表 面,其中会藉由一介于该外延矽层与该基板之间的 第一绝缘间隔,使该外延矽层电绝缘于该基板,并 且藉由一形成于该挤压成形之外延矽层之两侧上 的第二绝缘间隔,使该挤压成形的外延矽层电绝缘 于该基板; 一闸电极图样,其形成在该第一主动区与该第二主 动区上,以插入一闸氧化物;以及 源极区和汲极区,其位于该第一主动区与该第二主 动区中之闸电极的两侧。 7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中该第一 绝缘间隔包括一由一氧化物膜与一氮化物膜所组 成的堆叠结构。 8.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中该第二 绝缘间隔包括一由一氧化物膜与一氮化物膜所组 成的堆叠结构。 图式简单说明: 图1显示传统半导体装置的断面图; 图2a至2i显示用于解说根据本发明较佳具体实施例 之半导体装置制造方法之连续步骤的断面图;以及 图3a和3b显示用于解说根据本发明较佳具体实施例 之半导体装置制造方法之连续步骤的规划图。 |
