| 主权项 |
1.一种基板制备系统,包含: 一前端,具有一前端面,而该前端面于操作时将贴 近于该基板之一表面; 一第一导管,穿过该前端而将一第一液体输送至该 基板之表面; 一第二导管,穿过该前端而将一第二液体输送至该 基板之表面,其中该第二液体系不同于该第一液体 ;及 一第三导管,用以从该基板的表面上清除所有的第 一及第二液体,其中该第一导管、该第二导管与该 第三导管于操作时将实质同时一起产生作用。 2.如申请专利范围第1项之基板制备系统,其中移动 该基板,俾能使该前端沿着该基板的表面来回移动 。 3.如申请专利范围第1项之基板制备系统,其中该前 端沿着该基板的表面来回移动。 4.如申请专利范围第1项之基板制备系统,其中该前 端之尺寸达到该基板之直径。 5.如申请专利范围第1项之基板制备系统,其中该前 端之长度系大于该基板之直径。 6.如申请专利范围第1项之基板制备系统,其中在该 前端的相对侧上设置一第二前端,俾能在操作时贴 近于该基板之下表面。 7.如申请专利范围第1项之基板制备系统,其中该第 一液体为去离子水(DIW)及清洗液之其中一个。 8.如申请专利范围第1项之基板制备系统,其中该第 二液体为异丙醇(IPA)蒸气、氮气、有机化合物、 己醇、乙二醇等能与水互溶之化合物蒸气的其中 一个。 9.一种基板的处理方法,包含以下步骤: 一施加第一液体步骤,施加一第一液体于该基板的 表面之上; 一施加第二液体步骤,施加一第二液体于该基板的 表面之上,其中使该第二液体紧邻着该第一液体地 施加在表面之上;及 一清除步骤,清除该基板表面上的该第一及第二液 体,且一旦该第一及第二液体施加在表面之上后, 立即进行该清除步骤; 其中该施加步骤及该清除步骤将形成一可控制的 弯液面。 10.如申请专利范围第9项之基板的处理方法,其中 该第一液体为DIW及清洗液之其中一个。 11.如申请专利范围第9项之基板的处理方法,其中 该第二液体为异丙醇(IPA)蒸气、氮气、有机化合 物、己醇、乙二醇等能与水互溶之化合物蒸气的 其中一个。 12.如申请专利范围第9项之基板的处理方法,其中 清除该基板表面上的该第一及第二液体的该清除 步骤更包含在邻接于该基板的表面处形成真空。 13.如申请专利范围第12项之基板的处理方法,其中 在邻接于该基板的表面处形成真空更包含调整真 空度大小,俾形成稳定的弯液面。 14.一种进行基板处理操作的基板制造设备,包含: 一近接前端,能够朝向一基板表面移动,该近接前 端更包含: 至少一第一入口端,当该近接前端贴近于该基板表 面时,该第一入口端能够系用以将一第一液体供应 到该基板表面; 至少一第二入口端,当该近接前端贴近于该基板表 面时,该第二入口端能够系用以将一第二液体供应 到该基板表面;及 至少一出口端,当该近接前端贴近于该基板表面时 ,该出口端系用以产生真空吸力而从该基板表面上 清除该第一及第二液体。 15.如申请专利范围第14项之进行基板处理操作的 基板制造设备,其中该第一入口端用以将异丙醇( IPA)蒸气供应给该基板。 16.如申请专利范围第14项之进行基板处理操作的 基板制造设备,其中该第二入口端用以将去离子水 (DIW)供应给该基板。 17.如申请专利范围第14项之进行基板处理操作的 基板制造设备,其中当该近接前端移动到贴近该基 板时,该近接前端系用以在该基板上产生弯液面。 18.如申请专利范围第14项之进行基板处理操作的 基板制造设备,更包含: 一近接前端支架组件,用以使该近接前端在该基板 的半径范围内进行直线运动。 19.一种进行基板处理操作的基板制造设备,包含: 一近接前端支架组件,能够在一基板的半径范围内 进行直线运动,该近接前端支架组件更包含: 一第一近接前端,设置在一基板之上方; 一第二近接前端,设置在该基板之下方; 一上臂部,连接于该第一近接前端,该上臂部系用 以使该第一近接前端从基板之上方起移动到贴近 于该基板,俾能开始进行基板的制造;及 一下臂部,连接于该第二近接前端,该下臂部系用 以使该第二近接前端从基板之下方起移动到贴近 于该基板,俾能开始进行基板的制造。 20.一种基板的处理方法,包含以下步骤: 一产生液态弯液面步骤,在该基板的表面上产生一 液态弯液面; 一施加音波能量步骤,对该液态弯液面施加音波能 量;及 一移动液态弯液面步骤,使该液态弯液面移动过该 基板的整个表面而得以处理该基板之表面。 21.如申请专利范围第20项之基板的处理方法,其中 该施加音波能量步骤更包含对一转换器之中的压 电晶体施加射频功率而产生音波能量。 22.如申请专利范围第20项之基板的处理方法,其中 该施加音波能量步骤足以使该液态弯液面之中产 生气泡。 23.如申请专利范围第20项之基板的处理方法,其中 该产生液态弯液面步骤更包含: 一施加第一液体步骤,施加一第一液体于该基板之 表面的一第一区域之上; 一施加第二液体步骤,施加一第二液体于该基板之 表面的一第二区域之上;及 一清除步骤,清除该基板表面上的该第一及第二液 体,且从实质围绕着该第一区域的一第三区域起开 始清除; 其中该第二区域系实质围绕着该第三区域的至少 一部份,且该等施加及清除步骤将形成该液态弯液 面。 24.如申请专利范围第23项之基板的处理方法,其中 该第一液体为一清洗剂。 25.如申请专利范围第23项之基板的处理方法,其中 该第二液体为异丙醇(IPA)蒸气、有机化合物、己 醇、乙二醇等能与水互溶之化合物蒸气的其中一 个。 26.如申请专利范围第23项之基板的处理方法,其中 该清除步骤更包含使贴近于该基板表面的区域形 成真空状态。 27.如申请专利范围第20项之基板的处理方法,其中 该音波能量为高周波与超音波的至少之一。 28.一种基板制造设备之中的前端,包含: 至少一第一入口端,穿过该前端而将一第一液体输 送至该基板之表面; 至少一第二入口端,穿过该前端而将一第二液体输 送至该基板之表面,其中该第二液体系不同于该第 一液体; 至少一出口端,用以从该基板的表面上清除所有的 第一及第二液体,而该至少一出口端系设置成位在 该至少一第一入口端与该至少一第二入口端之间, 其中该至少一第一入口端、该至少一第二入口端 与该至少一出口端于操作时将实质同时一起产生 作用;及 一转换器,能够对该第一液体施加音波能量; 其中该至少一第二入口端系至少围绕着该至少一 出口端的最下缘。 29.如申请专利范围第28项之基板制造设备之中的 前端,其中该第一液体为一清洗剂。 30.如申请专利范围第28项之基板制造设备之中的 前端,其中该转换器具有一本体与位在该本体之中 的一压电晶体。 31.如申请专利范围第30项之基板制造设备之中的 前端,其中该转换器系连接于一RF源且该转换器之 中的压电晶体能够接收RF源并产生音波能量。 32.如申请专利范围第28项之基板制造设备之中的 前端,其中该音波能量为超音波与高周波的至少之 一。 图式简单说明: 图1A显示晶圆表面上的清洗液在SRD处理期间的运 动状态。 图1B为习知批次型基板清洗系统的示意图。 图1C为习知批次型基板清洗系统的上视图。 图1D为习知供应给一个以上的转换器之RF源的架构 。 图2A显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统。 图2B显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统之另一视图。 图2C显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统于夹持晶圆时的放大侧视图。 图2D显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统之另一放大侧视图。 图3A显示依据本发明之一实施例的具有双重之近 接前端的晶圆清洗及乾燥系统之上视图。 图3B显示依据本发明之一实施例的具有双重之近 接前端的晶圆清洗及乾燥系统之侧视图。 图4A显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统之上视图,其具有用于处理晶圆之特定面的 多重近接前端。 图4B显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统之侧视图,其具有用于处理晶圆之特定面的 多重近接前端。 图5A显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统之上视图,其具有一呈水平结构且延伸过晶 圆108之直径的近接前端。 图5B显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统之侧视图,其具有一呈水平结构且延伸过晶 圆108之直径的近接前端。 图5C显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统之上视图,其具有一固定且呈水平结构的近 接前端,用以清洗及/或乾燥晶圆。 图5D显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统之侧视图,其具有一固定且呈水平结构的近 接前端,用以清洗及/或乾燥晶圆。 图5E显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统之侧视图,其具有一固定且呈直立结构的近 接前端,用以清洗及/或乾燥晶圆。 图5F显示将图5E所示之实施例的晶圆清洗及乾燥系 统之侧视图转动九十度后所产生的另一侧视图。 图5G显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统之上视图,其具有一呈水平结构且延伸过晶 圆之半径的近接前端。 图5H显示依据本发明之一实施例的晶圆清洗及乾 燥系统之侧视图,其具有一呈水平结构且延伸过晶 圆之半径的近接前端。 图6A显示依据本发明之一实施例的用以清洗及乾 燥晶圆的近接前端之入口/出口配置。 图6B显示依据本发明之一实施例的用以清洗及乾 燥晶圆的另一近接前端之入口/出口配置。 图6C显示依据本发明之一实施例的用以清洗及乾 燥晶圆的又一近接前端之入口/出口配置。 图6D显示晶圆乾燥处理的一较佳实施例,其藉由本 发明之一实施例的近接前端而据以实施。 图6E显示利用另一入口/出口的配置方式所进行的 另一种晶圆乾燥处理,其藉由本发明之一实施例的 近接前端而据以实施。 图6F显示依据本发明之一实施例的另一种入口及 出口的配置方式,其中藉由附加的出口端来输入额 外的液体。 图7A显示依据本发明之一实施例的用以进行乾燥 操作的近接前端。 图7B显示依据本发明之一实施例的近接前端之局 部上视图。 图7C显示依据本发明之一实施例的近接前端,其具 备有角度的入口而用以进行乾燥操作。 图7D显示依据本发明之一实施例的近接前端,其具 备有角度的入口端与出口端而用以进行乾燥操作 。 图8A显示依据本发明之一实施例的清洗及乾燥系 统之侧视图,其具有用以同时处理双晶圆表面的近 接前端。 图8B显示依据本发明之一实施例的清洗及乾燥系 统之中的用以同时处理双晶圆表面的近接前端。 图9A显示本发明之一实施例的呈圆形之近接前端 的上视图。 图9B显示本发明之一实施例的呈圆形之近接前端 的侧视图。 图9C显示本发明之一实施例的呈圆形之近接前端 106-1的底视图。 图10A显示本发明之一实施例的呈长椭圆形之近接 前端。 图10B显示本发明之一实施例的呈长椭圆形之近接 前端的上视图。 图10C显示本发明之一实施例的呈长椭圆形之近接 前端的侧视图。 图11A显示本发明之一实施例的呈长方形之近接前 端的上视图。 图11B显示本发明之一实施例的呈长方形之近接前 端的侧视图。 图11C显示本发明之一实施例的呈长方形之近接前 端的底部。 图12A显示本发明之一实施例的局部呈长方形且局 部呈圆形的近接前端。 图12B显示本发明之一实施例的局部呈长方形且局 部呈圆形的近接前端之后视图。 图12C显示本发明之一实施例的局部呈长方形且局 部呈圆形的近接前端之上视图。 图13A显示本发明之一实施例的呈圆形之近接前端 的上视图,其类似于图9A之近接前端。 图13B显示本发明之一实施例的近接前端之底视图 。 图13C显示本发明之一实施例的近接前端之侧视图 。 图14A显示本发明之一实施例的近接前端,其外形类 似于图12A之近接前端。 图14B显示本发明之一实施例的近接前端之上视图, 其中其一端呈矩形、且与呈圆弧形的另一端断开 。 图14C显示本发明之一实施例的近接前端之矩形面 的侧视图。 图15A显示本发明之一实施例的具有二十五个孔之 近接前端的底视图。 图15B显示本发明之一实施例的具有二十五个孔之 近接前端的上视图。 图15C显示本发明之一实施例的具有二十五个孔之 近接前端的侧视图。 图16A显示用于晶圆表面高周波清洗系统之中的本 发明之一实施例的近接前端之侧视图。 图16B显示用于双晶圆表面高周波清洗系统之中的 本发明之一实施例的近接前端之侧视图。 图17显示本发明之一实施例的近接前端之侧视图, 其中高周波转换器系位在出口端与入口端之间。 图18显示本发明之一实施例的近接前端之侧视图, 而其构造如同图7A所示般,其前端系具有位在出口 端与入口端之间的高周波转换器。 图19A显示本发明之一实施例的近接前端之侧视图, 其同时具有清洗/高周波区域与乾燥区。 图19B显示本发明之一实施例的近接前端之侧视图, 其中在清洗/高周波区域之中设有两个高周波转换 器。 图20显示本发明之一实施例的处理窗孔,其具有复 数之入口端以及复数之出口端。 图21显示本发明之一实施例的实质呈长方形之近 接前端的上视图。 |
