发明名称 具有芳香环取代基之寡聚芴化合物
摘要 本发明系为一种具有芳香环取代基之寡聚芴化合物,该类化合物之芴基具有牢固且为平面的联苯结构,且利用芳香环取代基置换芴基之9号位置,因此亦具备良好的溶解度,且不会有分子间作用力的问题与分子堆叠的现象;另,本发明同时具有良好之正电荷与负电荷传递特性以及高发光效率,非常适合作为有机发光元件之材料。
申请公布号 TWI230168 申请公布日期 2005.04.01
申请号 TW091125315 申请日期 2002.10.25
申请人 吴忠帜;林于庭 台中县雾峰乡文化巷7号;刘宗雳 台北市松山区健康路147号4楼;洪文谊 台北县三重市三和路4段258号;谢秉原 HSIEH, PING YUAN 台北市中正区齐东街82巷20之1号4楼;方福全 FANG, FU CHUAN 高雄县大寮乡拷潭村123号;简裕益 台北县板桥市永丰街115号3楼;王钟锋 台北县永和市保安路7号2楼;陈瑞堂 CHEN, RUEI TANG 高雄市前镇区林森三路97之1号4楼;赵登志 桃园县平镇市日星街48巷6弄13号;陈又铭 台北县板桥市英士路39号9楼;汪根欉 WONG, KEN TSUNG 台北县芦洲市中正路180号4楼 发明人 吴忠帜;林于庭;刘宗雳;洪文谊;谢秉原;方福全;简裕益;王钟锋;陈瑞堂;赵登志;陈又铭;汪根欉
分类号 C08G61/00;C07C13/567 主分类号 C08G61/00
代理机构 代理人 罗行 台北市信义区东兴路37号9楼;侯庆辰 台北市信义区东兴路37号9楼
主权项 1.一种具有芳香环取代基之寡聚芴化合物,如式(1) 所示, 其中, X=0或1,Y=0或1; G1与G2分别为CnH2n+1或CnH2n+1O之任一种,且n=0~16; Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8分别为芳香环 取代基。 2.如申请专利范围第1项所述之具有芳香环取代基 之寡聚芴化合物,其中,芳香环取代基Ar1、Ar2、Ar3 、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8可分别或同时为下列化学 结构之任一种: 3.如申请专利范围第1项所述之具有芳香环取代基 之寡聚芴化合物,其中,芳香环取代基(Ar1、Ar2)、(Ar 3、Ar4)、(Ar5、Ar6)、(Ar7、Ar8)可为联苯芳香环取代 基,如下列化学结构所示: 4.一种使用于有机发光元件之具有芳香环取代基 之寡聚芴化合物,如式(1)所示, 其中, X=0或1,Y=0或1; G1与G2分别为CnH2n+1或CnH2n+1O之任一种,且n=0~16; Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8分别为芳香环 取代基; 一般有机发光元件之结构依序为: (a)阳极; (b)电洞传输层; (c)发光层; (d)电子传输层; (e)阴极。 5.如申请专利范围第4项所述之具有芳香环取代基 之寡聚芴化合物,其中,芳香环取代基Ar1、Ar2、Ar3 、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8可分别或同时为下列化学 结构之任一种: 6.如申请专利范围第4项所述之具有芳香环取代基 之寡聚芴化合物,其中,芳香环取代基(Ar1、Ar2)、(Ar 3、Ar4)、(Ar5、Ar6)、(Ar7、Ar8)可为联苯芳香环取代 基,如下列化学结构所示: 7.如申请专利范围第4项所述使用于有机发光元件 之具有芳香环取代基之寡聚芴化合物,其中,具有 芳香环取代基之寡聚芴化合物可作为电洞传输层 或电洞传输层部份材料之任一种。 8.如申请专利范围第4项所述使用于有机发光元件 之具有芳香环取代基之寡聚芴化合物,其中,具有 芳香环取代基之寡聚芴化合物可作为发光层或发 光层部份材料之任一种。 9.如申请专利范围第8项所述使用于有机发光元件 之具有芳香环取代基之寡聚芴化合物,其中,可在 发光层中进行掺杂,以提升元件之发光效率及调制 元件之发光光色。 10.如申请专利范围第4项所述使用于有机发光元件 之具有芳香环取代基之寡聚芴化合物,其中,具有 芳香环取代基之寡聚芴化合物可作为电子传输层 或电子传输层部份材料之任一种。 11.如申请专利范围第4项所述使用于有机发光元件 之具有芳香环取代基之寡聚芴化合物,其中,具有 芳香环取代基之寡聚芴化合物可同时作为电洞传 输层与发光层或电洞传输层与发光层之部份材料 之任一种。 12.如申请专利范围第11项所述使用于有机发光元 件之具有芳香环取代基之寡聚芴化合物,其中,可 在发光层中进行掺杂,以提升元件之发光效率及调 制元件之发光光色。 13.如申请专利范围第4项所述使用于有机发光元件 之具有芳香环取代基之寡聚芴化合物,其中,具有 芳香环取代基之寡聚芴化合物可同时作为电子传 输层与发光层或电子传输层与发光层之部份材料 之任一种。 14.如申请专利范围第13项所述使用于有机发光元 件之具有芳香环取代基之寡聚芴化合物,其中,可 在发光层中进行掺杂,以提升元件之发光效率及调 制元件之发光光色。 15.如申请专利范围第4项所述使用于有机发光元件 之具有芳香环取代基之寡聚芴化合物,其中,具有 芳香环取代基之寡聚芴化合物可同时作为电子传 输层、发光层与电子传输层或电子传输层、发光 层与电子传输层之部份材料之任一种。 16.如申请专利范围第15项所述使用于有机发光元 件之具有芳香环.取代基之寡聚芴化合物,其中,可 在发光层中进行掺杂,以提升元件之发光效率及调 制件之发光光色。 图式简单说明: 第1图系为三聚芴化合物4cc萤光放射光谱图。 第2图系为三聚芴化合物4cc紫外光一可见光吸收光 谱图。 第3图系为三聚芴化合物4cc萤光激发光谱图。 第4图系为三聚芴化合物4aa循环伏特安培结果图。 第5图系为利用TOF法量测Terfluorene化合物4cc之载子 移动率对电场之关系图。 第6图系为典型的有机发光二极体元件构造之示意 图。 第7图系为实施例一之实验结果示意图,其中, a图系为元件之发光频谱图; b图系为元件之电流-电压-亮度特性图。 第8图系为实施例二之实验结果示意图,其中, a图系为元件之发光频谱图; b图系为元件之电流-电压-亮度特性图。 第9图系为实施例三之实验结果示意图,其中, a图系为元件之发光频谱图; b图系为元件之电流-电压-亮度特性图。 第10图系为实施例四之实验结果示意图,其中, a图系为元件之发光频谱图; b图系为元件之电流-电压-亮度特性图。 第11图系为实施例五之实验结果示意图,其中, a图系为元件之发光频谱图; b图系为元件之电流-电压-亮度特性图。 第12图系为实施例六之实验结果示意图,其中, a图系为元件之发光频谱图; b图系为元件之电流-电压-亮度特性图。
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