发明名称 光磁性记录媒体及其形成方法
摘要 本发明系提供一种光磁性记录媒体之形成方法,系于基板上至少透过散热层,将各个组成成分相异之3层磁性膜层叠,并于前述构造上形成预定膜厚之电介质膜后,使未记录资讯之领域之磁性膜氮化,再使构成前述电介质膜之材料层叠于前述构造上而成者。
申请公布号 TWI230380 申请公布日期 2005.04.01
申请号 TW091132294 申请日期 2002.10.31
申请人 富士通股份有限公司 发明人 田中努;栗田亮
分类号 G11B7/26;G11B11/105 主分类号 G11B7/26
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种光磁性记录媒体之形成方法,系于基板上至 少透过散热层,将各个组成成分相异之3层磁性膜 层叠,并于前述构造上形成预定膜厚之电介质膜后 ,使未记录资讯之领域之磁性膜氮化,再使构成前 述电介质膜之材料层叠于前述构造上而成者。 2.一种光磁性记录媒体之形成方法,包含有: 将第1电介质膜、散热层、第2电介质膜依序层叠 于基板上之步骤; 将第1磁性膜、居礼温度较第一磁性膜低之第2磁 性膜、及磁场壁抗磁力较第1磁性膜大且居礼温度 较第2磁性膜高之第3磁性膜依序层叠于前述第2电 介质膜上之步骤; 将预定膜厚之第4电介质膜层叠于前述第3磁性膜 上之步骤; 至少使未记录资讯之领域之前述第3磁性膜氮化之 步骤;及 将第3电介质膜层叠于业经氮化之前述第3磁性膜 及第4电介质膜上之步骤。 3.如申请专利范围第2项之光磁性记录媒体之形成 方法,其中该氮化步骤系藉将层叠第4电介质膜后 之媒体于室温下及氮气中放置预定时间来进行。 4.如申请专利范围第1、2或3项之光磁性记录媒体 之形成方法,其中前述基板系于表面上交替形成了 多数个凸轨及凹轨之基板,邻接之凸轨与凹轨间之 边界部分系构成倾斜面,且该倾斜面系未记录资讯 之领域,并在该倾斜面不层叠前述第4电介质膜的 情况下,将第4电介质膜层叠于凸轨及凹轨上的第3 磁性膜上。 5.如申请专利范围第1、2或3项之光磁性记录媒体 之形成方法,其中前述基板系于表面上形成了多数 个凹轨之基板,邻接之凹轨之边界部分系由凸状之 侧壁面所构成,且前述侧壁面系未记录资讯之领域 ,并在该侧壁面不层叠前述第4电介质膜的情况下, 将第4电介质膜层叠于凹轨上的第3磁性膜上。 6.如申请专利范围第1、2或3项之光磁性记录媒体 之形成方法,其中前述基板系于表面上形成了多数 个凸轨之基板,邻接之凸轨之边界部分系由凹状之 侧沟所构成,且前述侧沟系未记录资讯之领域,并 在该侧沟不层叠前述第4电介质膜的情况下,将第4 电介质膜层叠于凸轨上之第3磁性膜上。 7.一种光磁性记录媒体,系至少将磁场壁抗磁力相 对较小之第1磁性膜、居礼温度相对较低之第2磁 性膜、磁场壁抗磁力相对较大且居礼温度相对较 高之第3磁性膜依序层叠者,而存在于未记录资讯 之领域之前述第3磁性膜系被选择性地氮化。 8.如申请专利范围第7项之光磁性记录媒体,系于记 录资讯之领域中交替形成凸轨及凹轨,且倾斜面为 未记录前述资讯之领域者。 9.如申请专利范围第7项之光磁性记录媒体,系于记 录资讯之领域中形成凹轨,且邻接之凹轨的边界部 分系由凸状的侧壁面所构成,而侧壁面为未记录前 述资讯之领域者。 10.如申请专利范围第7项之光磁性记录媒体,系于 记录资讯之领域中形成凸轨,且邻接之凸轨的边界 部分系由凹状的侧沟所构成,而侧沟为未记录前述 资讯之领域者。 图式简单说明: 第1图系显示该发明之光磁性记录媒体之一实施例 之构造图。 第2图系显示该发明之光磁性记录媒体之一实施例 之截面图。 第3图系显示该发明之光磁性记录媒体之一实施例 之制造步骤之主要部的说明图。 第4图系显示在该发明之光磁性记录媒体中,使用 凹轨凸轨基板时,第4电介质膜之膜厚与CNR之间的 关系图。 第5图系显示在该发明之光磁性记录媒体中,使用 凸轨基板时,第4电介质膜之膜厚与CNR之间的关系 图。 第6图系显示在该发明之光磁性记录媒体中,使用 凹轨基板时,第4电介质膜之膜厚与CNR之间的关系 图。 第7图系显示习知之光磁性记录媒体之构造图。
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