| 主权项 |
1.一种曝光条件决定装置,乃属于应用于光刻工程 中决定曝光条件之曝光条件决定装置,其特征为具 备有: 以所定图案将基板不同的复数位置以不同的曝光 量与聚焦値加以曝光、显影而形成的显影图案状 态转换为将所定强度之光照射在前述显影图案时 的反射光强度,而由前述反射光强度来决定最适当 的曝光量及聚焦値的组合之手段。 2.一种曝光条件决定装置,乃属于应用形成所定图 案的光罩并以前述所定图案使基板上不同的复数 位置以不同的曝光量与聚焦値曝光,然后应用被显 影的基板完成决定曝光条件之曝光条件决定装置, 其特征为具备有: 对形成在前述基板的显影图案之所定范围照射一 定强度的光之光照射部、和 检测前述所定范围中的所定区域的反射光强度之 检测部、和 由前述反射光强度检索根据最适当的曝光量与聚 焦値所曝光之处来决定最适当的曝光条件之演算 处理部。 3.如申请专利范围第2项所述之曝光条件决定装置, 其中,前述检测部系具有:CCD照相机或线路感应器 、和将被前述CCD照相机或线路感应器所拍摄到的 前述所定区域的图像信号转换为反射光强度之信 号变换手段。 4.如申请专利范第2项所述之曝光条件决定装置,其 中,前述光照射部系具有窄频波长光源、和将来自 前述窄频波长光源的光向前述基板传送之光纤。 5.如申请专利范第2项所述之曝光条件决定装置,其 中,前述光照射部系具有:具有波长区域不同的复 数窄频波长光源之光源、和将来自前述光源的光 向前述基板传送之光纤;且对应形成在前述光罩的 所定图案,由前述复数的窄频波长光源中选择适切 的一窄频波长光源来使用。 6.如申请专利范第2项所述之曝光条件决定装置,其 中,被形成在前述光罩的所定图案会使线宽和间隙 宽度之比率变化,且使前述线宽与前述间隙宽度的 合计宽度为一定的图案。 7.一种曝光条件决定方法,乃属于光刻工程中之曝 光条件决定方法,其特征为具有: 以所定图案将基板不同的复数位置以不同的曝光 量与聚焦値予以曝光之第1工程、和 使前述基板显影而形成之显影图案的状态转换为 将所定温度之光照射在前述显影图案时的反射光 强度之第2工程、和 由前述反射光强度来决定最适当的曝光量及聚焦 値的组合之第3工程。 8.如申请专利范围第7项所述之曝光条件决定方法, 其中,照射到前述显影图案的光之光源可采用窄频 波长光源。 9.一种曝光条件决定方法,乃属于光刻工程中之曝 光条件决定方法,其特征为具有: 应用形成所定图案的光罩,并以前述所定图案将基 板不同的复数位置以不同的曝光量与聚焦値予以 曝光之第1工程、和 使前述基板显影而形成显影图案之第2工程、和 对述显影图案的所定范围照射一定强度的光,并测 定其反射光强度之第3工程、和 利用目视观察前述反射光强度的资讯与包括事先 准备反射光强度的标准资料互相对照,藉此由前述 第1工程中之曝光量与聚焦値的组合中决定最适当 曝光量与最适当聚焦値之第4工程。 10.如申请专利范围第9项所述之曝光条件决定方法 ,其中,前述光的光源可采用窄频波长光源。 11.一种曝光条件决定方法,乃属于光刻工程中之曝 光条件决定方法,其特征为: 具有应用形成所定图案的光罩,并以前述所定图案 将基板之不同的复数位置以不同的曝光量与聚焦 値予以曝光之第1准备工程、和 使前述基板显影而形成基准显影图案之第2准备工 程、和 以SEM观察前述基准显影图案而得到前述基准显影 图案的形状资讯之第3准备工程、和 对前述基准显影图案的所定范围照射一定强度的 光而测定其反射光强度之第4准备工程、和 制作与前述形状资讯和前述第4准备工程所得到的 反射光强度相关连的标准资料之第5准备工程的准 备工程、和 依照与前述第1准备工程及前述第2准备工程同样 的工程而在基板形成所定显影图案之第1工程、和 对前述显影图案的所定范围照射一定强度的光而 测定其反射光强度之第2工程、和 将前述反射光强度与前述标准资料互相对照,藉此 由前述第1工程中的曝光量与聚焦値的组合中决定 最适当曝光量与最适聚焦値之第3工程的主工程所 形成的。 12.如申请专利范围第11项所述之曝光条件决定方 法,其中,前述光的光源可采用窄频波长光源。 13.如申请专利范围第11项所述之曝光条件决定方 法,其中,照射到前述显影图案的光之光源可采用 波长区域不同的复数窄频波长光源,对应述所定图 案从前述复数的窄频波长光源中选择适切的一窄 频波长光源来使用。 14.如申请专利范围第11项所述之曝光条件决定方 法,其中,前述所定图案系具有在线状及/或柱状及/ 或孔状的透过部分与遮光部分的一定宽度方面宽 度比率不同的复数区域;前述第3准备工程中,根据 前述透过部分的曝光部分与根据前述遮光部分的 非曝光部分之解析是对应可利用前述SEM观察而判 断的曝光区域之前述所定图案中的前述透过部分 之宽度比率的上下限値之组合,每一曝光条件为一 组宽度比率来记录; 前述第4准备工程方面,前述曝光部分与前述非曝 光部分的解析为不可判断的曝光区域之反射光强 度的上下限値为每一曝光条件来记录; 前述第5准备工程方面,每一曝光条件具有前述反 射光强度的上下限値间的范围之反射光强度的曝 光区域会与获得前述一组宽度比率之上下限値的 曝光区域一致的方式,组合前述反射光强度的上下 限値与前述一组宽度比率的上下限値组合。 15.如申请专利范围第14项所述之曝光条件决定方 法,其中,前述一组宽度比率可取代前述透过部分 的宽度比率而采用前述遮光部分的宽度比率。 16.如申请专利范围第14项所述之曝光条件决定方 法,其中, 前述第3准备工程是根据SEM观察来决定最适当曝光 条件; 前述第4准备工程是测定利用在前述第3准备工程 所决定的最适当曝光条件而曝光的曝光区域之反 射光强度; 前述第5准备工程是由在前述第4准备工程所得到 的反射光强度的値来决定最适当曝光条件中的一 组宽度比率; 前述第2工程是针对在前述第3准备工程所决定的 最适当曝光条件以及根据与接近前述最适当曝光 条件的数种曝光条件相同曝光条件而曝光的曝光 区域测定反射光强度; 前述第3工程是由在前述第2工程所测定的反射光 强度之値针对各曝光条件求得一组宽度比率,且与 前述最适当曝光条件中之一组宽度比率相同或接 近的一组宽度比率之曝光条件作为暂定曝光条件, 直到取得表示前述最适当曝光条件的一组宽度比 率,针对利用接近前述暂定曝光条件的曝光条件而 曝光的曝光区域的反射光强度之测定与根据所测 定的反射光强度之値的一组宽度比率的决定及暂 定曝光条件之更新予以重复而缩小曝光条件。 17.如申请专利范围第14项所述之曝光条件决定方 法,其中,前述第4准备工程及前述第2工程中,针对 各曝光条件对应各宽度比率的曝光区域来测定反 射光强度; 前述第3工程方面,是将前述第2工程所得到的反射 光强度与在前述第4准备工程所得到的反射光强度 之上下限値做比较,藉此决定前述各曝光条件方面 的一组宽度比率,前述一组宽度比率是以表示最适 当曝光量及最适聚焦値与事先决定的一组宽度比 率一致或接近的曝光条件作为最适当曝光条件而 决定。 18.如申请专利范围第17项之曝光条件决定方法,其 中,前述第2工程方面的反射光强度测定,是针对根 据组合先前决定的最适当曝光条件之接近曝光量 及聚焦値的曝光量及聚焦値的1以上30以下的曝光 条件而形成的各显影图案而进行。 19.如申请专利范围第17项所述之曝光条件决定方 法,其中,就根据前述第3准备工程方面的SEM观察结 果所决定的最适当曝光条件来看,是以可判断利用 前述第4准备工程所得到的曝光部分与非曝光部分 的解析之曝光区域的反射光强度之上下限値作为 警报値而设定; 可判断藉由前述第3工程所决定的最适当曝光条件 中之曝光部分与非曝光部分的解析之曝光区域的 反射光强度之范围,是于前述警报値之范围外发出 警报。 20.一种处理装置,乃属于具有对曝光处理的基板施 行显影处理的显影处理部之处理装置,其特征为具 备有: 以所定图案将基板不同的复数位置以不同的曝光 量与聚焦値予以曝光,再将用前述显影处理部加以 显影而形成的显影图案状态转换为将所定强度之 光照射在前述显影图案时的反射光强度,并由前述 反射光强度决定最适当的曝光量及聚焦値之曝光 条件决定装置。 21.一种处理装置,乃属于具有对曝光处理的基板施 行显影处理的显影处理部之处理装置,其特征为具 有: 应用形成所定图案的光罩并以前述所定图案将基 板上不同的复数位置以不同的曝光量与聚焦値而 曝光,然后应用于前述显影处理部中所显影的基板 进行决定曝光条件之曝光条件决定装置; 前述曝光条件决定装置系具有: 对形成在前述基板的显影图案的所定范围照射所 定强度的光之光照射部、和 检测前述所定范围中的所定区域的反射光强度之 检测部、和 由前述反射光强度检测根据最适当的曝光量与聚 焦値而曝光之处来决定最适当的曝光条件之演算 处理部。 22.如申请专利范围第21项所述之处理装置,其中,前 述检测部系具有:CCD照相机或线路感应器、和将被 前述CCD照相机或线路感应器所拍摄到的前述所定 区域的图像信号转换为反射光强度之信号变换手 段。 23.如申请专利范围第21项所述之处理装置,其中,前 述光照射部系具有:窄频波长光源、和将来自前述 窄频波长光源的光向前述基板传送之光纤。 24.如申请专利范围第21项所述之处理装置,其中,前 述光照射部系具有:具有波长区域不同的复数窄频 波长光源之光源、和将来自前述光源的光向前述 基板传送之光纤;对应前述所定图案由前述复数窄 频波长光源中选择适切的一窄频波长光源来使用 。 25.一种处理装置,其特征为具备有: 在基板形成光阻膜之光阻涂布处理部、和 对形成前述光阻膜的基板进行曝光处理之曝光装 置、和 对应用前述曝光装置而被曝光处理的基板进行显 影处理之显影处理部、和 应用前述曝光装置并以所定图案将基板之不同的 复数位置以不同时的曝光量与聚焦値加以曝光,且 将在前述显影处理部予以显影而形成的显影图案 状态转换为将所定强度之光照射在前述显影图案 时的反射光强度,并由前述反射光强度来决定最适 当的曝光量及聚焦値而将前述最适当曝光量及最 适聚焦値回授到前述曝光装置之曝光条件决定装 置。 26.如申请专利范围第25项所述之处理装置,其中,一 个箱体在其部具备有:前述光阻涂布处理部、和前 述显影处理部、和前述曝光条件决定装置。 27.如申请专利范围第25项所述之处理装置,其中,前 述曝光条件决定装置系具有:对形成在前述基板的 显影图案的所定范围照射所定强度的光之光照射 部、和检测照射前述光的前述所定范围中的所定 区域的反射光强度之检测部、和由在前述检测部 所得到的反射光强度检索根据最适当的曝光量与 聚焦値所曝光之处来决定最适当的曝光条件之演 算处理部、和将前述最适当曝光条件向前述曝光 装置送信之信号送信部。 28.如申请专利范围第27项所述之处理装置,其中,前 述检测部系具有:CCD照相机或线路感应器、和将被 前述CCD照相机或线路感应器所拍摄到的前述所定 区域的图像信号转换为反射光强度之信号变换手 段。 29.如申请专利范围第27项所述之处理装置,其中,前 述光照射部系具有:窄频波长光源、和将来自前述 窄频波长光源的光向前述基板传送之光纤。 30.如申请专利范围第27项所述之处理装置,其中,前 述光照射部系具有:具有波长区域不同的复数窄频 波长光源之光源、和将来看前述光源的光向前述 基板传送之光纤;配合前述所定图案由前述复数的 窄频波长光源中选择适切的一窄频波长光源来使 用。 31.如申请专利范围第27项所述之处理装置,其中,一 个箱体在其部具有前述光阻涂布处理部、和前述 显影处理部、和前述曝光条件决定装置。 32.一种处理装置,其特征为具备有: 于基板形成光阻膜之光阻涂布处理部、和 对被曝光处理的基板施行显影处理之显影处理部 、和 于前述光阻涂布处理部中形成光阻膜的基板之不 同复数位置以不同的曝光量与聚焦値并以所定图 案曝光,然后将在前述显影处理部进行显影处理而 形成的影图案状态转换为将所定强度之光照射在 前述显影图案时的反射光强度,并由前述反射光强 度决定最适当的曝光量及聚焦値之曝光条件决定 装置。 33.如申请专利范围第32项所述之处理装置,其中,前 述曝光条件决定装置系具有:对形成在前述基板的 显影图案的所定范围照射所定强度的光之光照射 部、和检测照射到前述光的前述所定范围中的所 定区域的反射光强度之检测部、和由在前述检测 部所得到的反射光强度检索最适当的曝光量与聚 集値而曝光之处来决定最适当的曝光条件之演算 处理部。 34.一种处理装置,其特征为具备有: 于基板形成光阻膜之光阻涂布处理部、和 对被曝光处理的基板进行显影处理之显影处理部 、和 于前述光阻涂布处理部中使形成光阻膜的基板之 不同的复数位置以不同的曝光量与聚焦値并以所 定图案曝光,然后在前述显影处理部做显影处理而 将形成在基板的显影图案状态成为将所定强度之 光照射在前述显影图案时的反射光强度而予检测 之反射光强度检测装置、和 由利用前述反射光强度检测装置所检测的反射光 强度来决定前述光阻涂布处理部及/或前述显影处 理部中的处理条件,且将前述决定的处理条件向前 述光阻涂布处理部及/或前述显影处理部回授之涂 布/显影控制部。 35.如申请专利范围第34项所述之处理装置,其中,前 述反射光强度检测装置系具有:对形成在前述基板 的显影图案的所定范围照射所定强度的光之光照 射部、和检测照射前述光的前述所定范围中的所 定区域的反射光强度之检测部、和将以前述检测 部所得到的反射光强度向前述涂布/显影控制部送 信之信号送信部。 图式简单说明: 第1图系表示应用有关本发明之曝光条件决定装置 的曝光条件决定工程的一实施形态之流程图。 第2图系表示在列方向改变聚焦値,在行方向改变 曝光量的格子状矩阵及区段之说明图。 第3图系表示应用曝光之光罩上的测试图案之一实 施形态之平面图。 第4图系第4A图及第4B图为表示应用曝光之光罩上 的测试图案之另一实施形态之平面图。 第5图系第5A图为表示测试图案之宽度方向的距离 、和所取得的反射光强度之信号位准的关系之座 标图,第5B图为表示对应第5A图的测试图案之平面 图,第5C图为表示对应第5B图的测试图案的显影图 案之垂直断面图。 第6图系表示曝光量为适当値时,令聚焦値变所获 得的显影图案之说明图。 第7图系表示聚焦値为适当値时,令曝光量变化所 获得的显影图案之说明图。 第8图系表示第6图、第7图所示的区段90b之说明图 。 第9图系表示规格化强度的値和测试图案方面的图 案A~G之透过部分的之宽度比率的关连性之说明图 。 第10图系第10A图至第10C图为矩阵状表示各曝光条 件所求得的下宽度比率和上宽度比率及其差之说 明图。 第11图系表示本发明之曝光条件决定装置构成之 一实施形态之说明图。 第12图系第12A图至第12C图系表示针对曝光条件一 部分求得下宽度比率和上宽度比率及其差之矩阵 的说明图。 第13图系第13A图至第13C图为表示针对曝光条件一 部分求得下宽度比率和上宽度比率及其差之矩阵 的另一说明图。 第14图系表示具备本发明之曝光条件决定装置的 光阻涂布、显影处理系统之一实施形态的平面图 。 第15图系为第14图所示的光阻涂布、显影处理系统 之侧面图。 第16图系表示藉由本发明之曝光条件决定装置的 光阻涂布、显影处理系统之控制构成的说明图。 |
